碳化硅功率半導體，是一個具備高成長潛力的「黃金賽道」。2024年，全球碳化硅功率半導體市場規模僅為25.5億美元，2029年全球碳化硅功率半導體市場規模將突破135億美元，短短6年後的2035年，該市場規模更是將飆升至1150億美元，增長勢頭尤為迅猛。

但很多人都搞錯了碳化硅產業鏈的價值核心——在這條龐大的產業鏈中，真正決定器件性能上限、拉開企業差距、掌控核心價值的，是碳化硅外延環節。定製化的碳化硅外延作為碳化硅功率器件的核心功能區，是高壓電力設備穩定運行的「安全堤壩」，決定了碳化硅功率半導體的價值。

目前，車規1200V外延層的價值已大於襯底，而固態變壓器3300V外延層的價值已經超過襯底的三倍!隨着電壓等級的提升，外延在芯片總成本中的佔比將繼續大幅上升。外延是整條產業鏈中名副其實的「價值高地」。

毫無疑問，誰掌握了碳化硅外延的領先優勢，誰就握住了全球碳化硅功率半導體產業的未來話語權!今天，我們摒棄晦澀專業術語，用通俗大白話、直觀生活化類比，帶大家深度讀懂碳化硅外延的核心價值、產業邏輯與投資潛力。

碳化硅外延是襯底「地基」上蓋的高樓，厚度和結構複雜度決定價值上限

要讀懂碳化硅外延，我們先要將碳化硅產業鏈的基礎邏輯拆解明白。

如果將實現電能高效轉換與控制的核心——碳化硅功率器件類比為一棟完整的建築，則碳化硅襯底可以類比為建築的地基，碳化硅外延層可以類比為建築的單層或多層結構。

碳化硅襯底作為單晶基底，是個標準品，襯底不包含客戶需要的產品結構，真正決定器件性能、創造核心價值的，是接下來的外延環節。

所謂碳化硅外延，簡單來說，就是在碳化硅襯底上，通過精密的化學氣相沉積工藝，根據客戶的特定需求，定製化地生長出多層質量更高、電學參數更可控的碳化硅單晶定製結構，襯底晶圓和外延結構合在一起，就是外延片。外延層的碳化硅質量必須大幅度的高於襯底，必須把襯底中的大量缺陷消滅掉或者是把襯底中的一些缺陷鎖死、不進入外延層。無一例外，所有的碳化硅功率器件，都是製作在外延層裏面的，器件製作完成後絕大部分情況下都會將襯底減薄、磨掉使得襯底帶來的電阻和熱阻能夠儘可能的被消除掉。對於最終的碳化硅功率器件來說，它的耐壓能力、開關效率、能量損耗等核心性能，都是由外延層決定的，它的品質直接決定了器件最終能達到的性能上限。

與建築做個類比：如果在一塊地基上蓋了低層居民房，那麼地基和地面上的建築價值大約相同，各佔50%，與目前的碳化硅襯底和低電壓器件中的薄外延層的價值比類似，各佔50%。但是，如果在同一塊地基上蓋了超30層高的超級豪宅，地面上建築的價值就必然大幅度高於地基的價值。襯底就是那個固月供入的「地基」，而外延層就是地基之上的「樓層」，外延的結構複雜度和總厚度，就是各樓層的結構和總高度。你能把外延層做多厚、質量做多好，就決定了你能在這塊「地基」上創造多大的價值。

回到碳化硅功率器件的數據：據統計，1200V的車用器件，需要10～13μm厚的外延層;1500V的光伏逆變器用器件，需要13-15μm的外延層;而3300V的工業、電網用高端器件，需要30-32μm的厚外延層，1萬伏以上的超高壓器件，更是需要大約100μm的外延總厚度。目前，車規1200V外延層的價值已大於襯底，而固態變壓器3300V外延層的價值已經超過襯底的三倍!隨着電壓等級的提升，外延在芯片總成本中的佔比將大幅上升，是名副其實的‘價值高地’。

在同一規格的襯底上，外延層生長的總厚度越大，結構越複雜，對應的商業價值和產業價值也就越大。

高壓化產業趨勢下，厚外延層是降本增效的核心

看完前文，你可能會產生兩個疑問：為什麼外延層越厚，能承受的電壓就越高?外延層能承受的電壓越高，又到底好在哪?接下來，我們用中學的物理知識，結合行業實際應用，將這件事解釋清楚。

一、為什麼外延層越厚，耐壓等級越高?

碳化硅功率器件的核心工作，就是在高壓電路里承擔「開關」和「隔離」的作用，而要保證器件在幾千伏甚至上萬伏的高壓下能正常工作而不被擊穿，就需要一層專門的「耐壓層」，即：碳化硅外延層。

如果將高壓電比作洶湧的洪水，外延層就是攔住洪水的堤壩。堤壩越厚、越堅固，能擋住的洪水水位就越高，越不容易出現潰壩;同理，碳化硅外延層的厚度越大，它能承受的電壓上限就越高，器件在高壓工況下就越穩定、越安全。 這裏有一個與在地基上蓋房子非常關鍵的不同，前面說到，器件製作完成後會將襯底減薄或磨掉，而且將襯底減薄或磨掉後器件的性能會更好。

當然，厚外延的技術攻關難題遠不止「長厚」這麼簡單——不僅要厚度達標，還要在大厚度下保證晶體的低缺陷、高均勻性，否則就會像「豆腐渣堤壩」一樣，哪怕厚度夠了，也會從缺陷處被擊穿。這也是為什麼高端厚外延技術，一直是碳化硅產業鏈的核心壁壘之一。

外延環節競爭的核心，就是需要盡力提升良率，使得生產出來的外延片都是合格的「堤壩」，這在工程上難度極高。由於外延生長對缺陷控制要求極高，‘良率’直接決定了企業的盈利水平。行業普遍存在‘設備易得、良率難求’的現象，這也構築了頭部企業的護城河。

極高的技術門檻使得外延代工成為碳化硅產業鏈中集中度最高的環節。據灼識諮詢數據，2024年全球前五大碳化硅外延代工企業合計佔據93.4%的市場份額——這意味着"良率即護城河"在外延環節體現得最為極致。其中，全球市場佔有率最高的三家企業分別是中國的瀚天天成(02726)佔比31.6%、日本的Resonac(4004.T)佔比19.4%及中國的河北普興佔比17.8%。

二、為什麼電壓越高越好?從物理原理看懂行業剛需

僅運用我們在中學學過的歐姆定律和能量損耗的基本原理，就能一眼看懂追求高壓化的本質：P=V×I，P代表功率(瓦特)，V代表電壓，I 代表電流。對於同樣的功率，電壓V提高了，需要的電流I就能降低。此外，中學物理告訴我們，能量的損耗等於電流的平方乘以電阻:I²×R，也就是能量的損耗和電流的平方成正比。

你看，根據中學物理，我們就能得到一個顯而易見的結論：對於相同功率電力系統，使用的電壓越高，需要的電流就越小;而電流越小，能量損耗就會大幅下降。

舉例說明：對於一個10000瓦的電力系統，當我們用1000V的電壓時，系統電路里的電流是10A，此時的損耗是10²×R=100R;而當我們把電壓提升到10000V時，電流就會降到1A，此時的損耗直接變成1²×R=1R，損耗直接降到了原來的1%!

這就是高壓化的核心價值：大幅降低能量損耗，大幅提升能源利用效率，同時還能減少線路、器件的發熱，延長設備使用壽命，縮小設備體積，最關鍵的是還能降低生產成本。所以，大量的碳化硅產業應用一直在向高電壓發展。比如，新能源汽車從原來的400V平台升級到800V高壓平台，而且開始進一步提升到1000V電壓平台。光伏風電併網的碳化硅器件已經從400V提升到1700V，甚至2000V。 AI數據中心和電網要推廣高壓固態變壓器(SST)的核心原因也是基於要——高效、節能、省成本，走高壓路線是大量電力應用的必然發展方向。

根據中金公司的研究結論，碳化硅功率芯片是AI供電系統的核心部件，在算力中心建設熱潮中將被大量使用。自2026年起，AI數據中心對碳化硅功率芯片的需求將快速增加，2026年到2030年每兆瓦算力的碳化硅芯片需求數量複合增速預計將超過80%;同時，由於芯片耐壓要求持續提高，AI算力中心所用碳化硅芯片的單顆平均價值也將同步提升，帶動每兆瓦對應的碳化硅芯片整體價值複合增速達到 140%至380%。量價齊升之下，碳化硅功率半導體在AIDC產業鏈中的價值佔比將持續提升。更進一步看，外延環節是決定碳化硅功率芯片耐壓等級的核心，因此也將成為AIDC產業發展中受益最為顯著的上游環節。

圖片說明：AIDC供電架構變化對應的碳化硅用量和價值量(來源：中金公司研究部)

總而言之，如果說碳化硅襯底是「標準化地基」，那碳化硅外延就是在「標準化地基」之上搭建的「價值高樓」，它既是產業升級的核心抓手，也是未來碳化硅功率半導體賽道的核心價值高地，長期成長確定性與產業戰略價值極為突出。