金吾財訊 | 美股存儲板塊高開低走，Rambus（RMBS）跌1.30%，美光科技（MU）跌3.19%，希捷科技（STX）跌3.92%，西部數據（WDC）跌4.78%，SK海力士（SKHY）跌5.42%，慧榮科技（SIMO）跌6.59%，閃迪（SNDK）跌8.11%。

消息面上，國內頭部DRAM廠商長鑫存儲(CXMT)完成86億美元規模上海IPO，上市首日漲幅達466%，資本市場對國產存儲產業化高度認可。本次上市為國內存儲賽道帶來大額孖展支撐，產能擴張與技術迭代節奏提速，直接衝擊以美光科技(MU)、閃迪(SNDK)、西部數據(WDC)為代表的美國存儲上市公司中長期市場份額與定價能力，徹底改寫全球通用存儲芯片的寡頭競爭格局。Counterpoint Research行業分析顯示，高端HBM賽道技術壁壘極高，美韓頭部廠商短期壟斷格局穩固，國產廠商預計2027年上半年纔可實現HBM3量產，屆時海外企業已迭代至HBM4產品，仍保有一代技術優勢。但通用型DRAM、NAND賽道技術門檻偏低、產品標準化程度高，核心競爭壁壘集中在資本投入與產能規模，恰好是長鑫存儲突破的核心領域。過去一年全球存儲芯片價格漲幅接近四倍，消費端智能手機、PC、家電等領域供需缺口顯著，本輪漲價紅利窗口期，與長鑫新增產能投放周期高度重合，直接擠壓美國存儲企業的傳統優勢市場。相較於技術壁壘深厚的高端AI存儲，美國傳統存儲廠商的核心營收與利潤來源集中在通用NAND、DRAM產品，市場競爭高度依賴價格與產能優勢。隨着長鑫存儲依託上市孖展快速擴產，國產通用存儲供給持續釋放，將有效緩解全球消費級存儲供需緊張局面，逐步削弱美股存儲企業的議價權與漲價收益空間，行業價格中樞有望逐步回落。整體來看，美股存儲板塊短期享受行業漲價紅利，但中長期將持續承受國產產能替代帶來的份額與盈利壓力，行業競爭格局迎來結構性反轉。