2004年創立至今，中微公司（688012.SH）用了20多年時間，在半導體微觀加工設備的「無人區」走出了一條路。

這一切的背後，離不開其靈魂人物--現年82歲的董事長兼總經理尹志堯。

01

近乎「偏執」的原創堅守

尹志堯，生於1944年，中科大本科、加州大學洛杉磯分校博士。

在創立中微之前，他已在硅谷刻蝕設備圈浸淫二十餘年，先後在英特爾擔任工藝工程師、泛林半導體更是從研發部資深工程師幹到資深經理。

1991年-2004年，尹就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官，手握86項美國專利、200餘項國際專利，被業內稱為「硅谷最有成就的華人之一」。

這為其之後回國創業打下了堅實的基礎。

2004年，年屆六旬的尹志堯沒有留在硅谷安享晚年，而是帶着一批海歸技術骨幹在上海創立中微公司，錨定當時國人極少觸碰的高端賽道--等離子體刻蝕設備。

面對當時國內半導體設備幾乎完全空白的窘境，他立下了一個近乎「偏執」的規矩：絕不抄襲和複製國外的標配設備。

在刻蝕這個全球僅三五家巨頭能玩的領域，中微選了最難的一條路--原創架構、差異化指標、自有知識產權。

因為尹深知，在半導體設備這個被歐美日巨頭高度壟斷的賽道，只有掌握底層原創技術，才能真正實現國產替代。

02

從「單點突破」到「平台化」

這種毅然決然走「自主創新」道路的偏執，最終轉化為令國際同行敬畏的硬核實力。

2004年，中微公司大膽突破當時國際主流技術，首創了「甚高頻去耦合反應離子刻蝕技術」。這項技術打破了傳統射頻能量互相干擾的難題，實現了離子濃度和離子能量的獨立控制，被業界驗證為「最佳解決方案」。

僅3年後，國際三大半導體設備巨頭便相繼沿用了這一技術路線。現如今，全球CCP刻蝕機基本都走這條路線。

基於這一底層架構的持續迭代，中微的刻蝕設備已覆蓋95%以上的刻蝕應用。其中，ICP雙台機Primo Twin-Star 的反應台之間刻蝕速度控制精度，達到了驚人的每分鐘0.2埃（即20皮米）。這約等於硅原子直徑的十分之一，是人類頭髮絲平均直徑的350萬到500萬分之一。

憑藉這種原子級的加工精度，中微的刻蝕設備不僅在國內主要客戶產線市佔率穩步提升，更打入了全球先進的3納米及以下集成電路加工製造生產線。截至2026年6月底，公司累計已有超過8800個反應台在國內外220餘條生產線實現量產。

尹志堯很清楚，只做刻蝕，天花板有限。半導體設備公司若沒有薄膜沉積能力，永遠只是「零件商」。

於是，中微近十年把第二戰場鋪在LPCVD、ALD、EPI、PECVD、PVD上。

以PECVD為例，中微將刻蝕領域的「去耦合」技術跨界應用，獨創了16個反應腔的集成設計。這一設計直接打破了傳統設備的產能瓶頸，其輸出量較國內外標配大幅提升80%-100%。

在晶圓廠極度看重產能和佔地面積的今天，中微的這款設備實現了真正的「一台頂兩台多」，用極致的性價比和效率，硬生生撕開了海外巨頭的防線。

2025年，以LPCVD為代表的薄膜設備銷售迎來爆發式增長，按年大增224.23%至5.06億元。

03

極致研發兌現狂飆

這種跨越是建立在極其激進且高效的研發投入之上。

2025年，中微研發投入高達37.44億元，佔營收比例達30.23%；2026年上半年，研發投入進一步增至20.42億元，佔比高達30.52%，遠超科創板上市公司10%-15%的平均水平。

高投入換來了研發速度的質變，過去開發一款新設備需要3到5年，如今只需兩年甚至更短時間。目前，公司在研項目涵蓋六大類、超二十款新設備。

強大的技術壁壘，最終轉化為了商業回報。

2021年-2025年，它的營收由31.08億元持續增至123.85億元，CAGR達41.28%；更能反映公司主營情況的扣非淨利潤由3.24億元一路增至15.5億元，CAGR高達47.84%。

增長還在持續。

中微預計26H1實現營收約66.91億元，按年增長約34.89%；歸母淨利潤為27億元-29億元，按年增加282.48%-310.81%；扣非淨利潤10億元-12億元，按年增加85.61%-122.73%。

從單一刻蝕到全品類平台化，82歲的尹志堯用20年堅守，讓中微從「跟跑者」蛻變為全球半導體設備舞台的「規則制定者」。