SK海力士據報推進EUV工藝 引入新材料PSM

格隆匯
08/11
據韓媒,SK海力士正致力於推進其極紫外光刻(EUV)技術,以實現下一代DRAM的量產。公司於去年首次推出高數值孔徑(High-NA)EUV設備,並於今年全面啓動相關技術的研發。據悉,該公司已全面開始引入相移掩模(PSM)等新型材料,以提升EUV光刻性能。

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