高盛頂級科技專家Sean Johnstone在一份報告中指出，市場正在爭論內存價格的上漲空間。多頭一派認為，HBM和DRAM訂單已排期到2027年，長期協議設定了價格底線，這代表着內存仍有70%至80%的利潤空間。 空頭則分析稱，內存價格的「二階導數」已經轉負，意味着內存上漲的速度放緩，可能在明年第二季度或者第三季度達到峯值，並在晚些時候轉向小幅下跌。此外，內存行業高達80%的利潤率正在促使客戶重新設計其芯片，這可能影響內存的供需平衡。此前消息稱英偉達正在評估降低Rubin Ultra的HBM堆疊和容量，可能也印證了空頭的這一看法。SemiAnalysis測算稱，英偉達可能將單機架HBM內存的成本佔比從接近40%壓縮至28%。 高盛表示，保守的投資者已經將內存的市盈率從5倍下調至2至3倍。內存價格上漲仍將持續至2027年中期，但稀缺性階段已經過去。剩餘的價格上漲空間取決於長期協議會否大量新增產能，以及HBM的產能增長是否會抵消DRAM/NAND產能的任何正常化趨勢。