高盛發表深度研報指，記憶體基本面極為強勁，當前兩大龍頭2027年預估市盈率(P/E)已降至3.5倍至3.6倍 的歷史極低位，重申三星與SK 海力士「強力買進」評級。記憶體產業正處於由AI算力基礎設施爆發(HBM + eSSD)所驅動的超級周期。 1、2027年HBM價格還有多少上行空間？高盛核心結論：預計2027年HBM平均售價(ASP)將暴增約100%。預期三星與SK海力士的HBM綜合ASP在2027E將接近2.9美元/Gb，按年分別大增87%與100%(主要產品同規格價格上漲約60%，其餘由產品結構優化帶動)。 2、長期供應協議(LTA)如何架構？對供應商有何利多？LTA呈現「天期更長、覆蓋更廣、波動更低、約束更強」四大特徵。合約天期主流為3年至5年長約。三星採用「滾動式合約，每年談判延伸一年，合約期可實質超過5年。三星透露已完成全球前五大資料中心客戶簽約，其多年度長協預計將覆蓋其規劃產能的60%~70%。 3、近期市場對「模組廠庫存過高」的擔憂是否成立？不成立。主要原廠與核心客戶庫存極度健康。模組廠庫存上升主要受智能手機與PC等消費電子產品需求疲軟影響，但該市場僅佔整體記憶體市場的個位數百分比。反觀原廠端，截至2Q26，DRAM 與 NAND庫存水位僅為2至4周，遠低於正常水準的4至5周，更遠低於下行周期前的10周以上。 4、NAND Flash 是否正面臨供過於求的轉折點？不會。企業級 SSD(eSSD)需求強勁，完全足以抵消消費端疲軟。高盛預估2026年至2028年企業級SSD需求將分別達到474EB/619EB/755EB，按年增幅高達66%、31%及22%。三大原廠資本支出高度傾斜至DRAM及HBM，NAND擴產極度剋制，主要依賴技術升級而非擴充晶圓產能。 5、中國長鑫存儲擴產是否會打破全球供需平衡？影響極有限。長鑫存儲的技術世代與兩家韓企存在2至3代顯著差距，且面臨地緣政治與極紫外光微影光刻機(EUV 光刻機)封鎖。長鑫出貨有70%集中於舊款LPDDR4，三星與SK海力士已有75%至85%轉向 LPDDR5。技術製程上，CXMT主力仍在1z節點，而韓國雙雄正由1a/1b邁向1c節點。 6、韓國廠商將如何回應市場對「股東回報」的強烈呼聲？股東回饋具備顯著上修空間，潛在「回購＋註銷」利好。高盛預期三星今年每股派息(DPS)將從市場共識的8638韓元上調至9500韓元。SK海力士自由現金流爆發，2025年至2027年的股東回報亦有大幅上修空間。 7、SK海力士在美國上市ADR對韓國本土股票有何影響？SK海力士ADR將長期保持溢價，並有助於折價的逐步消除。自7月10日上市以來，SK 海力士ADR較韓股本土普通股持續享有26%至30%的溢價，主因是可轉換額度限制(上限1.779億份ADR，相當於1779萬股普通股)及投資人結構不同。 8、SK 海力士二季獲利為何微幅低於預期？下半年趨勢如何？二季僅因DRAM平均售價認列時差微幅落後，三季起將迎來強勁反彈第二季主因DRAM平均售價按季增29%(低於高盛預期的39%)，反映早期鎖定價格與HBM4升級過渡期。預計2026年第三季在HBM4放量與1c nm DRAM出貨帶動下，DRAM位元出貨量將按季增10%、平均售價按季增19%，單季營業利潤將攀升至77萬億韓元。