據ZDNET Korea，三星電子計劃在1nm級工藝製程節點實現High NA EUV設備的商業化應用。三星電子晶圓代工工藝開發團隊樸昌民表示，對於2nm的SF2和1.4nm的SF1.4兩個近期節點來說，High NA EUV光刻圖案化技術仍不算成熟。而更高的圖案化分辨率將在1nm級成為剛需，因此三星晶圓代工正以此為目標與合作伙伴聯合研發。考慮到三星晶圓代工此前將2029年設定為SF1.4的量產時點並計劃在2030年推出改進型SF1.4+，其1nm節點最快也要到2030年纔會推出。