SK海力士正致力於推進其極紫外光刻（EUV）技術，以實現下一代DRAM的量產。公司於去年首次推出高數值孔徑（High-NA）EUV設備，並於今年全面啓動相關技術的研發。據悉，該公司已全面開始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。 (ZDNET Korea)。
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