ChainCatcher 消息，據韓媒 ZDNet Korea 報道，三星電子正調整其器興園區 NRD-K 2 號產線的原定用途，從研發設施改為晶圓代工產線，主要目標產品為英偉達 HBM 所需的 2nm 基礎芯片。該產線預計將於 2028 年下半年啓用，採用「Send-Fab」模式，即從其他量產線接收晶圓並代工特定工序。

NRD-K 是三星電子為搶佔未來半導體技術而建設的最尖端複合研發園區，總投資約 20 萬億韓元，共規劃 3 條產線，其中第 1 條已於 2024 年底竣工。此次調整旨在提前應對 AI 基礎設施投資帶動的 HBM 需求擴張。三星計劃在定製 HBM 及 HBM5 上率先應用 2nm 工藝以保持性能優勢。

業內人士指出，NRD-K 2 號線規模相對較小，適合以 Send-Fab 形式運作。但距離產線啓用仍有約兩年時間，最終用途仍可能根據市場形勢再次調整。三星此前曾考慮將該產線用於 DRAM 生產，相關計劃在本月被修改後，DRAM 產能將更集中於平澤園區。設備採購訂單尚未正式發出。