ChainCatcher 消息，據東亞日報報道，三星電子計劃將京畿道平澤半導體事業場核心項目 P5 1·2 工廠（Fab 5·6）由原有雙層晶圓廠擴大為三層晶圓廠建設，以應對全球人工智能半導體及存儲器超級周期、最大化提升產能。三星電子近日已提交產業園區計劃變更案，擬將容積率由 350% 上調至最高 490%，該變更須經京畿道知事審查並獲國土交通部產業選址政策審議委員會批准後最終確定。

平澤 P5 1·2 工廠為單一標準下全球最大規模半導體工廠，2022 年開工、目標 2030 年完工，將生產高帶寬存儲器（HBM）、高端 DRAM、下一代 V-NAND 及先進代工產品。目前已投產的平澤 P4 採用單棟 4 個潔淨室的雙層結構；若變更獲批，P5 起將配置最多 6 個潔淨室，潔淨室數量與產能有望提升約 1.5 倍。SK 海力士亦計劃將龍仁半導體集群新建晶圓廠全部採用三層結構。

市場機構 Counterpoint Research 預計，全球存儲器市場規模有望由去年約 360 萬億韓元增至今年 1500 萬億韓元、明年 2100 萬億韓元。在電力、用水與土地獲取日趨困難的背景下，提高容積率建設三層晶圓廠，成為突破有限空間物理限制並依託既有半導體產業生態的重要路徑。