ChainCatcher 消息，據工商時報報道，在 AI 帶動存儲器及先進封裝需求長期成長下，華邦電提前啓動高雄路竹廠擴產規劃，將原定二、三期整並為 Module B 同步開發，預計 2027 年動工興建無塵室，最快 2029 年初開始裝機，並依客戶需求預測及 LTA 分階段導入設備。目前已有客戶提前洽談 2029 年、2030 年產能。

法人指出，華邦電第三季利基型 DRAM 與 SLC NAND 供不應求，價格季漲幅估約 50%；NOR Flash 受惠雲端服務供應商大客戶備貨，價格季漲幅估約 30%。第四季存儲器價格漲幅估收斂至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 產能增加及出貨量成長，營收及獲利仍可維持季增。華邦電第二季合併營收 598.43 億元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 價格季增約 100%、Flash 上漲約 43%，合併毛利率升至 66.2%，每股稅後純益 5.40 元。

Module B 產品規劃涵蓋 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及硅電容（Si-Cap），將支持 14 納米及未來 12 納米 DRAM 製程，後續亦規劃導入 EUV 設備。