據台灣工商時報，在AI帶動存儲芯片及先進封裝需求長期成長下，華邦電(2344.TW)提前啓動高雄路竹廠擴產規劃，將原定二、三期整並為Module B同步開發，預計2027年動工興建無塵室，最快2029年初開始裝機。依目前規劃，Module B預計2027年動工，最快2029年開始裝機，並依客戶需求預測(Forecast)及LTA分階段導入設備。目前已有客戶提前洽談2029年、2030年產能。 機構指出，華邦電第三季利基型DRAM與SLC NAND，均呈現供不應求，價格季漲幅估約50％；NOR Flash則受惠雲端服務供應商(CSP)大客戶積極備貨，排擠其他應用供給，價格季漲幅估約30％。第四季存儲芯片價格漲幅雖預計收斂至2～5％，但受惠DRAM產能增加及出貨量成長，機構預計，華邦電營收及獲利仍可維持季增走勢。