高盛大幅上調未來三年全球晶圓廠設備（WFE）支出預測，將2026至2028年市場規模預期分別提升至1500億、2180億及2810億美元，上調幅度顯著超出此前預期，折射出半導體資本開支周期正加速向上突破。

據追風交易台，高盛在2026年8月23日發布的研究報告中指出，第二季度財報季披露的半導體資本開支數據普遍超預期，疊加設備供應商給出更為樂觀的前景展望，共同驅動此輪預測大幅修正。其中2026年WFE按年增速預期從此前的32%上調至36%，2027年從32%跳升至45%，2028年則從12%大幅提升至29%。

高盛維持對半導體設備板塊的整體看多立場，此次預測上調對設備板塊投資者具有直接指引意義，更高的資本開支預期意味着設備廠商訂單能見度持續改善，行業景氣周期有望延續至2028年。

代工：台積電擴產帶動先進製程設備需求躍升

報告將2026至2028年代工領域WFE預測分別上調至580億、840億及1090億美元，對應按年增速分別為45%、45%及30%，均較此前預測的30%、30%及16%大幅提升。

驅動力主要來自台積電。在本次更新中將台積電2026至2028年每年資本開支預測各上調80億美元，理由是N2製程的設備投入強度高於預期，且客戶需求持續旺盛。報告指出，隨着N2製程在未來數個季度進入量產爬坡階段，代工領域WFE動能將持續強勁，先進邏輯製程是核心驅動來源。

DRAM：HBM4遷移與產能擴張推動支出持續攀升

DRAM領域的上調幅度同樣突出。報告將2026至2028年DRAM WFE預測分別上調至480億、720億及970億美元，按年增速分別為50%、50%及35%，較此前預測的45%、45%及10%均有提升，其中2028年增速預期提升幅度最為顯著。

分析師Giuni Lee將三星電子2026至2028年平均DRAM資本開支預測上調22%，SK Hynix上調19%。儘管行業整體支出大幅增加，但DRAM供給將持續偏緊，產能約束狀態預計延續至2028年。節點製程遷移及向HBM4升級是支撐這一判斷的核心邏輯。

NAND：近期以升級改造為主，供給偏緊延續至2027年

相較於DRAM和代工，NAND領域的預測調整較為溫和，且方向有所分化。報告將2026年NAND WFE預測從110億美元小幅下調至110億美元（基本持平），2027年從170億美元下調至150億美元，2028年則從200億美元上調至220億美元。

NAND近期增量支出將以升級改造為主，而非大規模新增產能，這一策略將支撐供給維持偏緊格局至2027年。2028年支出加速則反映出更長周期維度的產能擴張預期。

邏輯及其他：英特爾復甦與Terafab項目帶來超預期增量

邏輯及其他領域的預測上調幅度在中長期維度尤為突出。報告將2026至2028年Logic/Other WFE預測分別上調至340億、470億及530億美元，其中2027年預測較此前的350億美元上調34%，2028年較此前的370億美元上調43%。

兩大因素驅動這一上調：其一，英特爾需求好於預期，帶動相關資本開支預測上修；其二，尾端製程及模擬芯片市場正在復甦。此外，SpaceX與特斯拉已就Terafab項目初始階段合計承諾約168億美元投入，相關支出已被納入Logic/Other預測，構成該細分領域中期增長的重要增量來源。