8月24日，過去一年，存儲芯片股上演了一輪波瀾壯闊的漲勢，背後是芯片價格飆升、毛利率大幅擴張以及自由現金流井噴的強勁支撐。受此推動，美光科技(MU.US)、閃迪(SNDK.US)以及SK海力士(在赴美IPO之前)的股價年內呈現拋物線式上漲。過去一年間，美光累計漲幅超過700%，而閃迪同期更是飆升了令人難以置信的3400%;SK海力士在韓國上市的股票也錄得600%的漲幅。儘管7月遭遇暴跌，但步入8月存儲行情再度反彈，市場對此仍疑慮重重，存儲超級周期還能延續多久。

本輪存儲超級周期，直接源於人工智能基礎設施的大規模建設，由此引發供需嚴重錯配。存儲市場主要分為DRAM(動態隨機存取存儲器，用於極短期數據存儲)和NAND閃存(可較長時間保存數據)兩大品類，二者在AI相關需求上都經歷了爆發式增長。

當前市場最大的驅動力當屬高帶寬內存(HBM)，該技術與GPU及其他AI芯片封裝在一起，旨在降低延遲和功耗。HBM已成為整個AI產業鏈中最為關鍵的瓶頸之一，因此，SK海力士、三星與美光這三大DRAM巨頭正將絕大部分資源投入以追趕需求，這反過來又導致整個DRAM市場供給趨緊，價格水漲船高。

與此同時，閃存則廣泛應用於企業級大容量固態硬盤(SSD)中，用於存儲訓練數據。由於三大存儲廠商在疫情後NAND市場崩盤後，曾一度減產並將資源轉向DRAM，如今又全力押注HBM，閃存同樣面臨供應受限的局面。此前，居家令曾帶動電子消費品(閃存大戶)需求階段性透支，但隨着限制解除，該市場迅速降溫。

歷史規律預示市場終將崩盤，但這次似乎確有不同。從歷史經驗看，存儲芯片股終究難逃周期輪迴——繁榮期通常伴隨着供給擴張，最終供過於求，價格回落。然而，本輪周期確實呈現出若干異乎尋常的特徵。

首先，AI基礎設施需求仍在持續攀升，毫無放緩跡象。其次，存儲製造商，尤其是深耕HBM的企業，產能捉襟見肘，多重因素將繼續制約供給增長，包括：製造HBM和先進邏輯芯片(如GPU)所必需的極紫外(EUV)光刻設備產能擴張受限;HBM所需晶圓產能是普通DRAM的三倍以上;以及新建潔淨室所需的漫長前置時間。最後，所有存儲廠商——包括純閃存企業閃迪在內——均史無前例地鎖定了長期供應合同。

綜合來看，DRAM和NAND兩大存儲周期的上行軌道仍遙望可見，而當前股票估值尚未充分反映這一前景，存儲芯片製造商有望繼續成為AI賽道中的核心持倉標的。