半導體產業研究機構SemiAnalysis發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢製作的字線逐漸面臨物理與製程限制，鉬可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。分析指出，相較於鎢，鉬在高層數3D NAND結構中具有三項關鍵優勢：首先，鉬的電阻較低，有助於提升記憶體讀寫速度；其次，鉬製程不需要使用氟基化學工藝；第三，鉬在高深寬比結構中的填充能力較佳。 SemiAnalysis預估，鉬在全球NAND總產能中的佔比，將從2025年的個位數中段百分比，提升至2027年約30%。估計，光是2027年一年，NAND鉬沉積設備市場規模就可能超過10億美元。若後續DRAM與邏輯芯片也逐步採用鉬相關製程，整體鉬沉積設備市場到2030年可能進一步成長至每年約20億美元。 設備供應商方面，泛林集團預期將率先受惠，東京電子則緊隨其後。應用材料、阿斯麥以及北方華創則可能更多受惠於後續DRAM及邏輯芯片導入鉬製程所帶來的需求。