文｜《科創板日報》

近日，多家機構預計，2026年全球磷化銦供需缺口超70%；國內所有廠商出貨量僅佔全球供應量約一成，產業鏈緊張局面持續向上下游傳導。

《科創板日報》記者對錫業股份、興福電子、雲南鍺業、源傑科技、仕佳光子、長光華芯、三安光電等磷化銦產業鏈上中下游多家上市公司致電訪談，試圖釐清各環節的真實卡點所在。

從記者掌握的情況來看，國內磷化銦產業鏈呈「資源強、製造弱」的格局。上游精銦充足，但高純銦產能不足；中游襯底、外延片仍在擴產爬坡，高速光芯片廠商普遍依賴進口襯底。整條產業鏈產能規模相較於全球需求仍有限。但2025年下半年以來，AI算力爆發驅動上中下游環節協同發力，本土化替代正在加速。

AI算力需求爆發下的剛性缺口

隨着人工智能算力需求呈指數級攀升，磷化銦襯底材料正迅速躍升為全球光通信基礎設施建設的市場關注焦點。

2026年7月，美國光芯片領軍企業Lumentum首席執行官邁克爾•赫爾斯頓在巴黎歐洲AI峯會上公開表示，當前磷化銦襯底的供需缺口已顯著超越DRAM與NAND閃存等主流存儲器件。

這一信號不僅揭示了材料端的極度緊張，更凸顯出磷化銦在AI時代數據中心光互連體系中日益關鍵的基礎性地位。

國內一位磷化銦襯底企業高管對《科創板日報》記者進一步表示，AI算力市場發展提速，高速光模塊激光器與光電探測器行業遇到的問題是如何實現數據快速傳輸，把顯卡（GPU）整體效率充分釋放出來。所以現在行業的主流解決方案，是用光信號替代傳統電信號，其中激光器和探測器這類核心器件對應的光芯片，就必須使用磷化銦襯底材料。

「分水嶺是從2025年下半年起，磷化銦襯底材料的整體市場需求看漲。」該磷化銦襯底企業高管補充說道。

在應用端，源傑科技、仕佳光子、長光華芯等高速光芯片企業人士也向《科創板日報》記者證實，AI數據中心是當下拉動磷化銦基光芯片產能需求的主要市場。

談及全球磷化銦襯底供需現狀，上述磷化銦襯底公司高管表示，在全球磷化銦襯底成品市場上，日本住友電工、日本JX金屬、美國AXT三家國外企業，合計佔據九成以上份額，國內所有廠商出貨量加在一起只佔全球供應量約一成。

「現在本土替代空間比較大，國內整體產能在全球佔比仍然比較小。」前述磷化銦襯底公司高管對《科創板日報》記者介紹，國內本土規模最大的企業之一是雲南鍺業旗下的鑫耀半導體，它目前年產能大概15萬片/年。「還有北京通美，它就是美國AXT的全資子公司，它的產能規模也比較大，因未上市，具體產能數據未公開，它們家產品主要供貨給母公司AXT，並對外出口。」其表示。

「從產業整體來看，國內磷化銦產業算是啱啱起步。過去磷化銦整體市場需求沒有這麼大，現在算力建設帶動磷化銦材料需求快速抬升，但產能供給的建設匹配還需要時間。」該磷化銦襯底公司高管補充說道。

缺口方面，中國銀河證券的研報數據顯示：2025年全球磷化銦器件需求約200萬片/年，實際產能僅約60萬片/年。第三方諮詢公司Yole預測2026年全球需求攀升至260萬/年到300萬片/年，有效產能只提升到75萬片/年左右，供需缺口超過70%。

不過，對於「供需缺口超70%」這一說法，業界仍持謹慎觀望態度。

雲南鍺業證券部工作人員表示，公司做重大經營決策，不會只看市場熱度，也不會單純依靠幾份研究報告、第三方機構的觀點就去落地擴產項目，一定會結合自身實際能力綜合判斷。」公司做出擴產決策主要基於兩點：第一，參考下游客戶大概率可以給到我們的訂單情況；第二，評估我們自身的生產、經營等情況，判斷我們是否具備落地項目的實力。」

「本次擴產規劃新增30萬片/年折算產能，一方面是看到下游存在很大概率會兌現的需求，另一方面是我們評估過後確認公司有能力完成該項目建設。」雲南鍺業證券部工作人員進一步表示。

事實上，在火熱的預期背後，需要冷靜區分「真實」與「虛幻」。

《科創板日報》採訪中了解到，AI算力中心建設是當前磷化銦襯底環節需求增長的「基本盤」，具有一定持續性。工信部2026年1-2月通信業運行數據顯示，全國算力基礎設施投資按年增長42%；「東數西算」8個國家算力樞紐節點、各地省級智算中心以及頭部互聯網廠商AI集群建設均在加速推進，是看得見、摸得着的需求增量。

相比之下，6G、車載激光雷達等領域更多是強化長期預期。這些領域目前仍處於產業化早期階段，距離大規模商業化應用還有一段路要走，市場在短期可能過度解讀了這些遠期應用對當前供需格局的影響。

襯底突圍：本土化替代尚處爬坡期

8月21日晚間，A股光模塊龍頭中際旭創發布2026年半年報，營收按年增長182.49%；淨利潤按年增長241.7%。公司表示主要是重點客戶增強資本開支加大算力基礎設施領域投資所致。

報告期內，中際旭創預付款餘額從2025年底的1.34億元躍升至9.54億元，增長了6倍多。這筆預付款的重要用途是提前鎖定上游光芯片和襯底產能。

國內某金屬材料企業市場負責人更是公開表示，2026年下游客戶拿磷化銦襯底的交期普遍達到24至40周，部分規格更是需要預付三到五成定金才能排上隊。

據《科創板日報》記者最新了解，國內高速光芯片賽道國產芯片出貨節奏正明顯加快，然而作為關鍵材料的磷化銦襯底，目前仍主要依賴海外廠商採購。

主打EML芯片的長光華芯不涉及上游磷化銦襯底佈局，以外購襯底生產高速光芯片，定位為產業鏈中游的光芯片廠商。

長光華芯證券部工作人員表示，針對現階段全球磷化銦襯底緊缺的情況，公司也在驗證並導入如雲南鍺業、北京通美等為代表的國內廠商生產的磷化銦襯底。

談及磷化銦襯底採購來源，源傑科技董祕辦人士表示，該公司的光芯片生產襯底同時採購國內、海外廠商，供應商名單屬於商業機密不予披露。

「公司在磷化銦襯底採購環節將採取多元化、多供應商策略，通過分散採購來源保障上游原材料供應的穩定性。」仕佳光子方面人士對《科創板日報》記者表示，該公司所需的磷化銦襯底全部依靠外部採購；該公司CW類有源器件產品，會使用磷化銦襯底材料。

三安光電從事磷化銦外延片、光芯片業務，並實現了相關產品的批量銷售。

「公司上游環節的磷化銦襯底，全部靠市場採購，自身並不生產。」據三安光電董祕辦人士介紹，該公司現有磷化銦基光芯片產能為2750片/月，磷化銦外延產能為6000片/月，相關產線仍持續擴張中。

雲南鍺業旗下鑫耀半導體，是國內少數能量產光通信用磷化銦襯底的企業。

談及磷化銦襯底產能佈局，雲南鍺業董祕辦人士表示，目前公司量產主力為2-4英寸磷化銦襯底，現有產能15萬片/年。2026年4月公司公告投資1.89億元擴產項目，規劃新增折算口徑30萬片/年磷化銦襯底的年產能，建設期18個月，其中包含6000片/年6英寸襯底中試產能。「目前我司有少量6英寸磷化銦襯底已向下遊客戶及實驗室供貨，主要用於試驗研發，大規模量產尚需時日。」其表示。

磷化銦賽道熱度攀升下，跨界玩家紛紛入局。

今年6月，從事皮革業務的興業科技，宣佈擬總價5500萬元收購青島立昂，進軍磷化銦襯底領域。

興業科技表示，標的公司青島立昂的產品以2英寸、3英寸磷化銦襯底為主；目前公司4英寸磷化銦襯底還在驗證階段，驗證門檻較高，可能存在客戶驗證不通過的風險。

產能及項目推進方面，「青島立昂現有產能大概2萬片/年，該公司目前完成擴產規劃，目標擴至10萬片/年，預計今年四季度到2027年一季度，開啓試生產，後續逐步爬坡並釋放產能。」一位接近該標的公司人士表示。

此外，跨界磷化銦領域的還有博傑股份，該公司通過參股珠海鼎泰芯源切入磷化銦上游襯底賽道，鼎泰芯源可實現2-4英寸磷化銦襯底批量供貨，6英寸產品尚在研發送樣，具體產能釋放情況並未披露。截至2026年Q1，鼎泰芯源尚未實現盈利。

「現階段，各家企業都需要持續優化改進，不是第一年建好工廠，第二年就能產出合格產品。從產線建設到下游驗證完成並批量供貨需要2-3年甚至更長的周期。」對於國內磷化銦襯底產能放量時間表，前述磷化銦襯底公司高管表示，磷化銦襯底從3英寸升級4英寸、4英寸升級6英寸，晶圓面積不斷擴大，加工環節的研發存在技術瓶頸，涉及設備改造、專有溫場控制技術等，每一次尺寸升級，都意味着工藝體系的重新磨合與良率爬坡。

高純銦提純：用量少 門檻極高

從產業鏈看，磷化銦襯底的製備流程為：以高純銦、磷為原料合成磷化銦多晶，經單晶生長得到單晶錠，再通過切、磨、拋等工序加工為襯底芯片。國內原生銦材料主要來自於鉛鋅錫冶煉伴生礦，原生銦產量佔到全球七成以上。

而作為磷化銦單晶製造的核心原料高純銦、電子級紅磷等同樣高度依賴進口。

《科創板日報》記者採訪了解到，錫業股份、華錫有色、鋅業股份等上市企業，可以穩定輸出大量4-5N工業級精銦，近60%的銷量供應給ITO靶材市場，資源總量儲備充足。

但是，隨着AI算力需求抬升，7N以上半導體級超高純銦供應趨緊。這類高純銦是磷化銦單晶長晶的核心原料，國內有效量產產能短期內並不充裕。

錫業股份董祕辦人士表示，光通信用磷化銦襯底對銦材的純度要求極高，需達到6N（99.9999%）至7N（99.99999%）級別。公司旗下參股企業雲南錫業新材料在推進高純銦項目，擁有一定的7N級別高純銦產能規模，同時正在擴建產能。

談及7N級高純銦業務推進，8月19日，高純銦冶煉類企業豫光金鉛方面表示，該公司建有一套7N級別高純銦材料中試產線，目前為小規模試驗性生產，年產規模300公斤。目前產出的樣品已供給下游客戶開展試用驗證。預計2026年年底或者2027年年初拿到客戶試用的反饋結果，後續將結合市場情況再評估擴產及項目建設事宜。

國內另外一家頭部金屬銦提煉企業，華錫有色證券部工作人員表示，該公司早在2025年針對可應用於半導體領域的7N級以上高純銦開展過相關研發工作。截至目前，相關產品處於研發、驗證階段。

「儘管國內精銦資源充足，但能穩定產出6N、7N級半導體用高純銦的國內企業不多。」上海一位小金屬行業高級分析師黃立（化名）在接受《科創板日報》記者採訪時表示，普通精銦和半導體級高純銦，看似只差幾個9的純度，背後是完全不同的工藝體系。這幾年隨着光芯片需求爆發，國內提純技術快速跟進。按照現在的項目上馬速度，相信用不了兩年，國內高純銦原材可實現供需平衡。

黃立進一步表示，國內高純銦提純環節發展滯後，還有另一層原因。磷化銦襯底對銦的需求量並不大，這直接導致國內企業佈局意願不足。目前，國內7N級以上高純銦在整體銦材料中的需求佔比，僅約10%。

「現在市場上反覆炒作磷化銦概念，大衆普遍誤以為磷化銦中的金屬消耗量巨大，但是實際物料消耗規模很小。」據黃立介紹，一片2英寸磷化銦襯底所需的高純銦只有1-2克左右。假設以國內磷化銦襯底最大規模產能企業之一的雲南鍺業為例，其現有的15萬片/年磷化銦襯底，折算下來，也僅需要300-400公斤的高純銦。這也在一定程度上導致上游銦材料提純廠家沒有動力搭建提純實驗室、配置提純設備，進入一個技術門檻極高的細分領域。

「此外，從價格角度看，目前市面上普通精銦價格五千多元，做到6N級別以上的高純銦，價格可能也就只有六千多。一千元左右的價差，這個溢價吸引力並沒有想象當中那麼大。」黃立表示。