存儲芯片與功率半導體景氣共振，半導體上游設備材料迎催化密集期，今日早盤，六氟化鎢、氮化鋁和碳化硅板塊作為半導體材料代表領升。第三/四代半導體材料迎政策助力，功率半導體量價齊升，長江存儲IPO提速、摩根士丹利大幅上調存儲漲價預期，受多重利好提振，資金加速湧入半導體上游核心資產，科創半導體設備ETF華泰柏瑞（588710） 近3個交易日累計獲9.31億元資金加倉，最新基金份額達114億份，刷新歷史記錄。

　　六氟化鎢作為現代半導體制造中不可或缺的關鍵電子特種氣體，是沉積金屬鎢薄膜的標準前驅體，其高純度與獨特性質直接推動了7納米以下先進製程、3D NAND閃存及AI芯片的發展。26年AI浪潮持續，核心存儲企業已開始大規模擴產，進而將帶來六氟化鎢等上游材料顯著需求增量。

　　政策層面同步加碼。8月19日，上海市科學技術委員會印發《上海張江高新技術產業開發區發展「十五五」規劃》，明確提出聚焦高端芯片設計、工藝製造、核心裝備與材料等產業鏈關鍵環節，加快第三/四代半導體材料技術攻關和產業化落地。分析認為，氮化鋁、碳化硅和氮化鎵等第三/四代半導體材料是未來功率半導體和射頻器件的關鍵方向，政策明確支持將直接利好相關材料研發與設備企業。

　　功率半導體領域呈現量價齊升態勢。受益於AI、新能源汽車、風電、光伏、儲能等下游應用蓬勃發展，功率半導體關鍵封裝部件需求持續增長。與此同時，台灣地區功率半導體廠商正醞釀第三波價格調整，最快10月起針對非合約產品漲價10%至15%；意法半導體近期亦向客戶發出漲價通知，宣佈自8月23日起上調多條產品線報價，這也是該企業年內第三次調價。

　　存儲芯片方面，國產NAND龍頭長江存儲IPO狀態於8月19日變更為「輔導驗收」，距正式登陸A股再進一步。據市場機構數據，長江存儲2026年第二季度全球NAND閃存市場份額已躍升至第三位，一季度營收突破200億元，按年增長100%。此外，摩根士丹利大幅上調存儲芯片漲價預期，預計Q3成熟DRAM價格將上漲50%、Q4再漲10%，SLC NAND今年剩餘兩個季度每季度漲50%。

　　科創半導體設備ETF華泰柏瑞（588710）跟蹤指數為科創半導體材料設備指數，高純度聚焦半導體上游「材料+設備」領域，兩者行業合計佔比達89%。尤為值得關注的是，該指數「存儲芯片」概念含量超80%、「先進封裝」概念含量超67%。場外投資者可關注華泰柏瑞上證科創板半導體材料設備主題ETF發起式聯接基金（A類024974/C類024975）。

　　從歷史表現來看，100%科創板選股或賦予標的指數較強的彈性特徵。近一年科創半導體材料設備指數累計漲幅達178%，優於同期半導體材料設備主題指數（160%）、中證全指半導體指數（80%）、科創芯片指數（100%）、國證芯片（71%）等部分主流半導體主題指數。

　　半導體設備材料屬於高彈性板塊，投資者需關注高估值與交易波動風險，請投資者結合自身風險承受能力，理性判斷，謹慎投資。不妨考慮配置的思路，搭配華泰柏瑞「紅利全家桶」構建啞鈴佈局——進攻端通過佈局高成長的科技賽道助力把握產業紅利，防守端通過紅利類資產爭取平滑組合波動。

　　華泰柏瑞基金是國內首批ETF管理人，在指數投資領域深耕超19年，為投資者打造了滬深300ETF華泰柏瑞（510300）、A500ETF華泰柏瑞（563360）等投向透明、交易便捷、費率低廉的指數工具。截至2026年6月末，公司旗下ETF近兩年累計為持有人盈利超1806億元，是同期A股全市場僅有的三家累計盈利超1600億元的公募基金公司之一。