Tradingkey - 美東時間8月24日，美光（MU）股價再度跌穿900美元關口，日內跌幅高達7%，但這並不表明內存供給短缺格局有變化。

美光內存架構研究員Raghu Sreeramaneni在斯坦福大學舉辦的Hot Chips 2026半導體會議上指出，內存（尤其是 HBM）正成為 AI 產業鏈最卡脖子的環節，誰能率先突破工藝與封裝極限，誰就掌握下一階段競爭主動權。

他表示，目前矛盾在於速度錯配：AI計算性能每兩年增長3倍，同期HBM發展卻不到2倍，差距持續拉大。

他指出短缺具結構性。最新HBM封裝將2塊GPU與8塊HBM4集成一體，約90%面積用於存儲；製造同等容量，HBM耗用晶圓約為普通DDR5的3倍，且越升級越費料，缺口越擴。

與此同時，散熱亦成新瓶頸。HBM為多層結構，底層最熱而冷卻在最頂，冷量須穿透各層，業內已轉向"先算散熱、再調結構"。

此外，科技分析師Dan Ives認為，存儲市場的強勁需求仍將延續，供給短缺的格局短期內難以改變。就AI革命而言，目前存儲市場的需求與供給比例約為15比1。隨着存儲需求及價格同步上升，包括蘋果在內的企業都必須支付更高的存儲成本。

Ives表示：「目前是存儲業者的天下，其他所有人都得付‘租金’。」他指出，存儲產業未來仍會出現周期性的起伏，但這一輪多年期的產業循環仍將持續發展。當被問及企業可能過度下單或庫存出現變化的可能性時，Ives稱目前不必擔心這些問題，目前正開始按照多頭情境發展。

美光2小時K線圖，來源：TradingView

美光股價自1,040美元附近回落後，已經跌破 0.382斐波那契回撤位（935.35美元），同時跌穿上升通道下沿。短線結構已經明顯轉弱，當前正在向下測試 0.236斐波那契回撤位（859.88美元）。

美光此前股價在0.382斐波那契回撤位（935.35美元）附近反覆震盪，但本次快速跌破該位置，表明原有支撐暫時失效。

均線方面，現價已經同時跌破5日均線、10日均線、20日均線、80日均線和160日均線，五條均線目前全部位於股價上方。929.12—951.22美元構成當前較明顯的均線壓力密集區。

從趨勢結構看，股價已經跌穿此前的上升通道下沿，意味着自737.88美元附近形成的抬高低點結構受到破壞。後續如果不能重新收復0.382斐波那契回撤位（935.35美元），本輪走勢更偏向弱勢調整，而不是普通回踩。

下方重點觀察0.236斐波那契回撤位（859.88美元）。如果該位置能夠止跌並形成反彈，股價可能在859.88—935.35美元之間進行技術性修復；如果繼續跌破，則調整空間可能進一步擴大。

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