韓國芯片製造商SK海力士周四在美國印第安納州舉行了一場奠基儀式，宣佈將建設一座用於人工智能（AI）內存的先進封裝生產設施，計劃每年在此生產數十萬片晶圓。

　　奠基儀式在印第安納州西拉法葉的普渡大學舉行。SK海力士正積極推進在美國建立首個下一代高帶寬內存（HBM）生產基地的計劃，總投資預計超過40億美元。HBM是驅動人工智能的先進芯片中的關鍵組件。

　　在印第安納州的工廠中，SK海力士計劃於2028年10月啓用潔淨室，並於2029年下半年開始量產下一代HBM芯片。該公司預計，到2030年該工廠將成為美國重要的HBM生產基地，在商業化運營期間將擁有約1000名員工。

　　這家芯片製造商還計劃在生產線旁建設一個「先進封裝研發測試平台」，以便客戶、高校及商業合作伙伴能夠共同開展封裝技術開發，並進行原型製造和性能驗證。

　　該公司表示，SK海力士生產的先進晶圓將運往印第安納州，在那裏進行先進的封裝和測試，之後再向英偉達等美國大型科技公司供應「美國製造」的產品。

　　SK海力士CEO郭魯正在奠基儀式上表示，公司計劃於2029年第三季度在這座工廠啓動下一代HBM4E芯片的大規模量產。

　　「我們預計年產能將達到數十萬片晶圓，」他說，「這將為客戶提供一種新的美國製造HBM產品來源，同時加強美國半導體供應鏈，並促進經濟發展。」