今日通信ETF開盤後震盪上行，全天強勢，收漲4.63%。
資料來源：wind
今日通信板塊大幅走強，最直接的催化來自英偉達最新季報及管理層對未來需求的強勁指引。英偉達2027財年第二季度實現收入962億美元，按年增長106%，按月增長18%；其中數據中心收入達到890億美元，按年增長117%，繼續成為增長的絕對核心。公司同時給出下一季度1080億美元的收入指引，高於市場此前預期。更重要的是，管理層首次罕見地給出較遠期增長展望：預計2028財年收入按年增長約70%，而此前市場一致預期約為44%。管理層同時強調，這一預測仍然是在供應受限背景下給出的，需求本身更為強勁。
這組數據對通信板塊的意義，並不只是「英偉達業績好於預期」，而是進一步確認AI基礎設施建設仍處在向上擴張階段。英偉達收入增長的背後，是全球雲廠商、AI實驗室、NeoCloud、企業和主權AI客戶持續增加算力投入。與此同時，英偉達與AWS宣佈將在2027—2028年進一步部署200萬顆GPU，Vera Rubin平台已經進入全面生產階段。算力芯片數量持續增加之後，真正決定集群能否有效發揮算力的，不只是單卡性能，而是GPU之間的數據交換效率，這也是通信網絡價值量持續提升的核心原因。
從底層邏輯看，AI本質上不僅是「計算問題」，也是「數據搬運問題」。大模型訓練和推理需要大量GPU並行工作，單個GPU性能越強、集群規模越大，對互聯帶寬和網絡效率的要求反而越高。從V100到H100，GPU計算核心峯值算力提升了數十倍，但HBM顯存帶寬提升不到4倍；在服務器和數據中心層面，GPU集群已經快速擴展至數萬甚至數十萬卡，網絡密度和複雜度隨之顯著提升。在長距離高速傳輸場景中，光互聯具有明顯優勢，因此光模塊成為算力基礎設施中景氣度較高的環節之一。
網絡速率升級也在持續抬升通信環節的價值量。1.6T光模塊ASP約為800G的兩倍，意味着通信產業鏈不僅能夠享受數量增長，還可能享受產品升級帶來的單價提升。與此同時，隨着Rubin等新一代平台推進，數據中心內部互聯有望從傳統Scale Out進一步向Scale Up演進。Scale Up強調機櫃內部和相鄰計算單元之間更低時延、更高帶寬的互聯，隨着單個計算域內GPU數量不斷增加，光互聯向櫃內滲透有望打開新的需求空間。
從更長周期看，通信板塊景氣度最終仍取決於全球AI資本開支。我們基於產業鏈收入和乘數效應進行測算，全球AI資本開支2027年有望達到約1.5萬億美元。雖然遠期預測存在較大不確定性，但英偉達此次給出的2028財年約70%收入增長展望，相當於再次從產業鏈核心環節驗證了AI基礎設施投資的持續性。只要GPU集群繼續擴張，光模塊、交換機、銅連接、光纖等網絡環節就仍有望分享算力基礎設施增長紅利。
通信ETF（515880）跟蹤的中證全指通信設備指數聚焦通信設備產業鏈，指數中光模塊、服務器、銅連接、光纖等與海外AI算力相關方向佔比較高，因此能夠較為直接地映射全球AI基礎設施擴張與網絡升級趨勢。短期看，英偉達季報和遠期指引強化了產業景氣預期；中長期看，1.6T升級、Scale Up擴張以及全球AI資本開支持續增長，仍是通信板塊值得關注的核心驅動力。感興趣的投資者可關注通信ETF（515880）。
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今日半導體設備ETF與通信同步上行，收漲3.63%。
資料來源：wind
如果說通信板塊的核心邏輯是海外AI算力資本開支，那幺半導體設備當前更值得關注的變量，則是全球存儲擴產周期正在加速。AI服務器對HBM和高端DRAM的需求快速增長，同時數據中心對企業級SSD和NAND的需求也在提升。在供給擴張相對剋制的背景下，存儲價格持續上漲、廠商盈利能力顯著修復，產業鏈正在從「漲價和盈利改善」逐漸走向「資本開支和產能擴張」。對於半導體設備而言，真正決定中期訂單的正是後者。
2026年一季度全球存儲銷售額按年增長238%，明顯高於其他半導體品類；存儲銷售額佔整個半導體行業的比重升至46%。其中價格是這一輪增長的重要驅動力，2026年一季度存儲ASP按年上漲165%，而出貨量按年增長27%。在價格和盈利改善之後，存儲廠商擴產意願開始明顯增強。
存儲擴產之所以對設備板塊尤其重要，是因為存儲製造本身就是設備投入強度非常高的環節，而且隨着存儲從平面結構走向3D堆疊，單位產能所需要的設備數量和工藝複雜度仍在提升。以3D NAND為例，當前主流產品已經達到300層以上，產業正在繼續向更高層數演進。3D NAND每增加一層，至少會增加多次薄膜沉積和刻蝕過程，同時層數越高，對薄膜均勻性、高深寬比刻蝕以及等離子體控制精度的要求越高。因此，存儲擴產並不是簡單的「多建幾座廠」，還伴隨着單位晶圓設備價值量的持續提升。
這意味着，本輪存儲資本開支上行中，刻蝕和薄膜沉積可能是彈性較大的核心環節。刻蝕設備需要完成高深寬比深孔結構，層數越高，工藝難度越大；薄膜沉積則需要在複雜三維結構中實現高度均勻、極薄的材料沉積。除此之外，清洗、CMP、量檢測等設備也會隨着晶圓廠產能建設同步增加需求。從全球設備市場來看，Bernstein測算，全球WFE市場規模在2026—2028年有望由1540億美元增長至2590億美元，2025—2028年複合增速約29%，存儲和先進邏輯是其中的重要增長來源。
對於國內半導體設備而言，除了全球行業擴張之外，還有第二層邏輯——國產化。當前國內設備廠商在刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等多個環節已經實現不同程度突破，但整體國產化率仍有較大提升空間。伴隨國產化率不斷提升，本土設備供應商市場空間在2025-2028年的CAGR有望達+66%。增速相對全球平均水平高出一倍。
半導體設備ETF（159516）所跟蹤方向覆蓋半導體設備與材料產業鏈，可以較為集中地承接晶圓廠資本開支回升以及國產化率提升帶來的產業機會。短期看，存儲價格上漲和盈利改善為擴產提供基礎；中期看，DRAM、NAND資本開支上行將逐步轉化為設備訂單；長期看，3D化、先進製程以及自主可控仍有望推動國內設備企業擴大市場空間。感興趣的投資者可關注半導體設備ETF（159516）。
風險提示：投資人應當充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲蓄方式的區別。定期定額投資是引導投資人進行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資並不能規避基金投資所固有的風險，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲蓄的等效理財方式。無論是股票ETF/LOF/聯接基金，都是屬於較高預期風險和預期收益的證券投資基金品種，其預期收益及預期風險水平高於混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。基金資產投資於科創板和創業板股票，會面臨因投資標的、市場制度以及交易規則等差異帶來的特有風險，提請投資者注意。板塊/基金短期升跌幅列示僅作為文章分析觀點之輔助材料，僅供參考，不構成對基金業績的保證。文中提及個股短期業績僅供參考，不構成股票推薦，也不構成對基金業績的預測和保證。以上觀點僅供參考，不構成投資建議或承諾。如需購買相關基金產品，請您關注投資者適當性管理相關規定、提前做好風險測評，並根據您自身的風險承受能力購買與之相匹配的風險等級的基金產品。基金有風險，投資需謹慎。