ChainCatcher 消息，據首爾經濟報道，三星電子正開發符合英偉達要求的 HBM4E（第七代）8 層產品，以搶佔其定製高帶寬存儲器 NVHBM 供應的核心合作伙伴地位。該產品較原計劃的 12 層、16 層降低堆疊高度，英偉達提出的速度規格為 17-18Gbps，較三星初期 HBM4E 樣品速度（14.4Gbps）高出約 20%，將用於英偉達公開的 NVLink 優化規格的 NVHBM。

採用 8 層與以往通過增加堆疊層數提升容量的 HBM 競爭邏輯相反，可降低後工序難度與良率壓力，有利於擴大供應，被視為英偉達緩解內存短缺的策略。NVHBM 有望自明年推出的下一代 AI GPU「Rubin Ultra」起應用，該 GPU 將 GPU 間連接規模從 72 個最高擴至 576 個，通過搭載更快 HBM 的數百個 GPU 協同提升整體算力。

在定製 HBM 市場，三星相較 SK 海力士、美光更具競爭力，因 NVHBM 需 DRAM 與基於邏輯芯片的基裸片設計生產能力，三星可一體化應對。業界人士稱，三星已在 HBM4 驗證業界最高水平速度，可在速度競爭中發揮優勢。