IT之家 8 月 25 日消息，科技媒體 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）發布博文，報道稱京都大學研究團隊研發出新型碳化硅（SiC）晶體管，採用標準離子注入工藝製造，可在 600℃（873 K）下工作。

IT之家援引博文介紹，該晶體管採用商業芯片工廠普遍使用的「離子注入」（ion implantation）工藝打造，相關成果於 8 月 17 日發表在《APL Electronic Devices》。

研究團隊選擇「結型場效應晶體管」（JFET）結構，並將柵極置於溝道下方，形成底柵（bottom-gate）佈局。離子注入過程中，部分摻雜原子會沿晶體通道深入目標區域之外，形成「溝道效應」尾部。

傳統頂柵結構難以補償這一影響，導致設計閾值電壓與實測值相差超過 2 V。底柵結構可捕獲偏離預定深度的摻雜原子，讓該偏差在 400℃ 下縮小至 0.1 V 以內。

該科研團隊為了減少高溫漏電，團隊還加入「雙阱」（double-well）隔離結構。該結構通過 pn 結隔離單個器件，避免依賴下方半絕緣碳化硅襯底。