【三星電子發布超400層的V10 BV-NAND，I/O速度突破4.8Gbps】V10是三星最新的 3D NAND 閃存，專為滿足人工智能時代對高性能、高容量和節能存儲日益增長的需求而開發。三星電子的三層堆疊 HARC合併技術實現了擁有400多條字線的V-NAND架構。通過將其與多孔和零虛擬孔技術相結合，在提高製造效率和整體產品質量的同時，V10較上一代產品實現58%的位密度提升。V10架構擁有高位密度，可支持高達128TB的超大容量SSD，其超過4.8Gbps的I/O性能支持新一代 PCIe Gen7 SSD。同時，更高的能效有助於降低大規模 AI 數據中心的功耗和總體擁有成本 。