瑞銀分析師們在報告中預計，中國半導體制造能力於未來10年內都可能難以取得足夠快的進展，從而開發出能夠真正替代阿斯麥尖端極紫外光刻(EUV)技術的方案。 瑞銀指出，從專利申請活動來看，尤其是在光源和激光子系統領域，中國目前的技術成熟度大致相當於阿斯麥開始大規模生產EUV設備前15年時的水平，「他們目前所處的階段似乎與阿斯麥在2004年時相當」。 分析師們表示，考慮到中國設備在良率和產能方面與阿斯麥可能仍存在差距，再加上監管限制，相信中國光刻設備不太可能在中國境外得到應用。不過，瑞銀預計，中國有望在未來2至5年內具備浸沒式深紫外(DUV)光刻機的大規模量產能力。雖然浸沒式DUV不如EUV系統先進，但仍是芯片製造不可或缺的設備，利用光線將複雜精細的電路圖案轉印到硅晶圓上。 阿斯麥是全球唯一能夠生產尖端光刻設備的企業，這類設備對於製造先進半導體至關重要，包括英偉達(Nvidia)所使用的先進芯片。中國是阿斯麥最大的市場之一，但該公司被禁止向中國出售其極紫外光刻設備。