核心要點

• 隨着人工智能對先進芯片的需求激增，台積電與三星確定將採用阿斯麥的高數值孔徑極紫外（High‑NA EUV）光刻機。
• 三星計劃 2028 年將高 NA EUV 用於 DRAM 內存芯片製造；台積電預計 2030 年在先進芯片生產中啓用該技術。
• 阿斯麥高 NA EUV 單台設備成本約 4 億美元；投資者認為該技術獲得更廣泛應用，對這家芯片設備廠商未來增長至關重要。
  2025 年 4 月 24 日，荷蘭費爾德霍芬，阿斯麥員工阿西亞・哈杜展示高 NA 芯片製造設備。

　　全球兩大芯片製造商三星與台積電，確定將使用阿斯麥的高數值孔徑極紫外（High‑NA EUV）光刻機，市場對先進芯片的需求持續走高。

　　阿斯麥的 EUV 光刻機是芯片製造的核心設備，用於在硅晶圓上印製電路圖案抖音百科。高 NA EUV 設備能夠印刷尺寸更小、複雜度更高的電路圖形，單台造價約 4 億美元。

　　全球頭部存儲芯片廠商三星表示，將從 2028 年起使用該設備生產 DRAM 內存芯片。 三星稱會在 2030 年全面落地這項技術，此舉將拓展 DRAM 微縮技術路線圖，同時提升製程效率。

　　台積電錶示，將把阿斯麥這套設備用於先進芯片製造；AI 應用對晶體管架構複雜度的要求不斷提升，將成為高 NA 設備需求增長的主要驅動力。

　　過去一年阿斯麥股價累計漲幅達 120%，投資者將高 NA EUV 設備的商業化成敗視作公司未來業績增長的關鍵。

　　巴克萊銀行周二發布研報稱，兩家廠商的表態 「讓市場對設備落地節奏有了更清晰預期，這也是行業一直爭論的焦點」，並評價該消息為利好。

　　周二早盤，阿姆斯特丹上市的阿斯麥股價小幅震盪，整體持平微跌。

　　至此，三星、台積電與英特爾一同成為阿斯麥高 NA EUV 設備的客戶。阿斯麥 7 月曾透露，英特爾已經將高 NA EUV 技術用於先進芯片製造。

　　阿斯麥尚未對外公布高 NA 設備最新銷售預期，但表示 2027 年 EUV 設備整體產能將提升約 30%。

　　巴克萊分析師認為，兩家廠商的表態有利於阿斯麥做生產規劃。 「現在需求十分旺盛，阿斯麥接下來面臨一個重大抉擇：是否要在現有擴產目標基礎之上，進一步擴大 EUV 設備產能。」

　　台積電、三星還將聯合阿斯麥發起行業項目，推進下一代12 英寸光掩模（Photomask）技術，取代當前主流 6 英寸規格。光掩模是芯片生產的核心部件，相當於印製晶圓電路圖案的模板。

　　阿斯麥表示，更大尺寸光掩模可以提升生產效率，降低芯片製造成本。