據首爾經濟日報，三星電子將與全球最大的光刻設備製造商ASML共同開發高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術。三星正參與一項旨在推動行業標準轉變的工作，即將自20世紀80年代以來一直使用的6英寸光掩模版轉向12英寸版本，併力爭率先基於高NA EUV設備建立DRAM量產體系。三星計劃從2028年開始將高NA EUV設備應用於DRAM生產，隨後進一步將這項技術擴展至1.4納米先進邏輯工藝，以推動其晶圓代工業務發展。擴大掩模版尺寸旨在彌補EUV技術的侷限。高NA EUV的數值孔徑比傳統EUV高66%，能夠形成更加精細的電路圖案。將目前使用的6英寸掩模版替換為12英寸掩模版，可以提高晶圓廠生產效率並降低芯片製造成本。