AI記憶能力的結構性躍升，正將全球內存市場推向一個持續數年的供給短缺周期。
據追風交易台消息，花旗在9月14日的報告中表示，隨着AI從單純的訓練與推理階段邁入"持續學習"時代，HBM、服務器DDR5及企業級固態硬盤（eSSD）的需求將從2027年起同步爆發性增長。花旗預計，DRAM供需比（S/D ratio）將在2027年和2028年分別惡化至-8.7%和-9.7%，NAND同期供需比亦將跌至-6.1%和-5.5%，供需失衡態勢料持續延伸至2031年。
在需求急速攀升的同時，供給端受制於HBM產能佔用和技術遷移放緩，擴產步伐遠落後於需求。花旗據此預計，2027年全球內存資本支出將按年大增46.5%至804億美元，但受制於產能建設的漫長交期，即便大規模投資也難以填補供需缺口。
持續學習：AI內存需求的新驅動範式
花旗研究指出，"持續學習"（Continual Learning）將是未來五年AI領域的核心主題。與當前AI模型在訓練後固化參數的模式不同，持續學習允許模型在運行中不斷吸收新知識，同時保留此前習得的信息。
這一方法的核心挑戰在於平衡新知識的學習與防止"災難性遺忘"。為此，AI系統需要持續進行模型更新，同時保持對歷史數據的高效訪問——兩者均對內存提出顯著更高的要求。
從AI工作負載演進的歷史軌跡來看，2022年至2025年上半年主要為AI訓練周期，HBM需求強勁，而傳統DRAM和NAND相對平淡；2025年下半年起，推理複雜度上升帶動服務器DDR5和eSSD需求快速增長，市場對HBM的關注有所降溫。
花旗認為，2027年起將進入持續學習的第一階段，HBM、服務器DRAM、SoCAMM2及eSSD的需求將同步擴張；至2028年下半年，隨着個人AI與實體AI（Physical AI）的興起，需求版圖還將進一步擴展至邊緣端設備內存。
值得注意的是，AI token月度使用量的增長呈現出近乎完美的指數曲線，月按月複合增速達31%，2026年8月按年增速高達2434%，這為整體內存需求的持續高增長提供了強有力的底層支撐。
HBM：去規格化是供給約束的結果，而非需求疲弱
花旗對近期業界關注的HBM"去規格化"（de-specification）現象給出了明確解讀：這是AI芯片廠商在HBM供給受限背景下的資源效率優化行為，而非終端需求走弱的信號。
花旗預計，HBM位需求將在2027年按年激增62%至751.57億Gb，2028年進一步躍升69%至1269.90億Gb，分別是此前預測值的兩倍。需求驅動方不僅包括Nvidia，還涵蓋Broadcom、Google等ASIC製造商——其中Broadcom的HBM需求預測從2026年的90.02億Gb擴大至2028年的410.03億Gb，Google同期從47.02億Gb增至140.03億Gb。
在供給側，花旗預計2027年HBM產能（以TSV封裝產能計）將從2026年的42萬片/月擴張至70萬片/月。但即便如此，供需缺口仍將維持在高位：2027年HBM S/D比率預計為-21%，與2026年的-22%基本持平，至2028年因ASIC出貨量加速進一步惡化至-36%。
花旗認為，去規格化本質上是芯片廠商在有限HBM供給下最大化加速器出貨量的務實選擇，不應被解讀為需求轉向。
DRAM：供需剪刀差將在2027年創下歷史性缺口
花旗預計，2027年全球DRAM需求將按年增長30.2%，但供給增速僅為18.8%，供需比由2026年的+0.5%驟降至-8.7%，2028年進一步惡化至-9.7%。
需求端，持續學習帶動的服務器DRAM需求增長尤為突出。花旗預測服務器DRAM需求將從2026年的2263億個（1Gb當量）躍升至2027年的3417億個，按年增長51%，服務器將繼續佔據DRAM總需求約67%的份額。相比之下，PC需求料保持相對平淡，手機需求溫和復甦。
供給端制約因素同樣明確：一方面，HBM產能佔用持續擠壓通用DRAM的晶圓產能，2027年行業平均DRAM晶圓產能僅預計增長約8%至229.5萬片/月；另一方面，技術節點遷移放緩限制了單位晶圓的位產出增速；此外，綠地產能從立項到量產的漫長周期意味着即使資本開支已在加速，供給響應也將滯後。
花旗預測2027年DRAM混合均價將按年上漲23.1%，在經歷2026年高達242.4%的異常漲幅之後，價格上行趨勢仍將延續，但漲幅將趨於正常化。
NAND：eSSD強勁需求疊加供給剋制，供需缺口顯著擴大
NAND市場的供需格局同樣面臨實質性收緊。花旗預計2027年NAND需求按年增長29.1%，而供給增速僅為21.2%，S/D比率從2026年的-0.8%驟降至-6.1%，2028年維持在-5.5%。
eSSD是NAND需求增長的最核心驅動力。花旗預測2027年eSSD需求按年增速高達52.9%（SSD整體增速為45.0%），核心邏輯有三：其一，HBM每顆加速器搭載量下降迫使更多KV緩存工作負載向外部存儲遷移；其二，AI推理工作負載的持續複雜化推動高容量QLC eSSD在AI服務器端的滲透；其三，Nvidia的KV Cache卸載趨勢以及中國AI數據中心以SSD替代HDD的趨勢，提供了額外的需求上行空間。
供給側的約束同樣值得關注。花旗預計2027年行業平均NAND晶圓產能僅小幅增長3.2%至146.0萬片/月，三星電子的NAND產能甚至預計下降4.7%，海力士和美光則基本持平。主要原因在於，各廠商正將更多資源傾斜於DRAM/HBM的綠地擴產，對NAND增量投資態度審慎。
NAND價格方面，花旗預計2027年NAND混合均價將按年上漲45.3%，延續2026年236.2%漲幅之後的上行態勢，儘管漲幅節奏有所放緩。
資本支出大幅躍升，但難以彌閤中期缺口
花旗預測2027年全球內存資本支出（DRAM+NAND）將按年大增46.5%至804億美元，較2026年的549億美元顯著加速。
DRAM資本支出預計按年增長51.6%至586億美元，由三星電子（206億美元）、SK海力士（175億美元）和美光（158億美元）領銜。但花旗強調，增量DRAM投資中相當大比例仍將流向HBM產能和先進DRAM製程，對通用DRAM供給的實際緩解效果有限。
NAND資本支出預計按年增長34.2%至218億美元，其中三星電子預計投入79億美元，Kioxia 37億美元，SK海力士31億美元，Sandisk 29億美元，美光21億美元。
花旗指出，儘管資本支出規模大幅躍升，但鑑於綠地投資產能擴建的漫長交期，更高的支出水平不足以彌合2027年的供需缺口。以此為基礎，花旗對全球內存供需失衡局面的判斷延伸至2031年，並認為持續學習與個人AI/實體AI的規模化落地將成為這一超長期結構性供給短缺的核心支撐。