三星電子推出zHBM技術,該內存可3D直接堆疊在AI芯片上方。在AI智能體時代,三星提出願景:將現有AI系統的響應速度提升10倍以上。
當地時間9月16日,三星美洲半導體事業部(DSA)內存產品企劃負責人Kim Indong,在美國加州聖克拉拉會展中心舉辦的AI基礎設施峯會發表主旨演講,闡述AI存儲芯片領域的範式變革。
Kim Indong常務表示:「當前對話式AI系統,單用戶響應速度上限約為每秒100 token。面向即將到來的AI智能體時代,我們目標實現跨越式突破,將速度提升至每秒1000 token。」
三星表示,想要實現這一巨大性能提升,核心突破口就是zHBM。
除此之外,三星電子還公布了面向端側AI市場、基於NAND閃存的3D存儲方案zNAND-O的技術路線圖。
Kim Indong稱:「到2030年,不只是大型服務器,在AI工作站等設備本地運行萬億參數超大模型將會普及。如果完全依靠DRAM搭建適配萬億參數模型的內存,成本極高;而採用zNAND-O方案,僅需六分之一的成本就能實現。」
三星計劃自2028年起,向客戶大規模提供zNAND-O樣品。Kim Indong補充道:「AI芯片競爭的核心在於產品上市速度,我們有信心在此方面為客戶提供獨一無二的價值。」