存儲超級周期加碼:DRAM/NAND三季度按月漲價20-30%,超大規模客戶簽約接受明年Q1漲價

華爾街見聞
8小時前

內存芯片短缺仍未緩解,雲廠商已搶先鎖定更高價格的明年合同。

9月19日,據追風交易台消息,美銀證券分析師Simon Woo發布最新內存行業研報,渠道調研證實2026年三季度DRAM均價按月漲20-30%、NAND升逾15%,且超大規模雲廠商已提前簽約鎖定2027年一季度更高的DRAM價格。

基於內存供應持續短缺及OEM/科技公司搶籌加劇,美銀將2027-2028年DRAM均價預期上調8-12%、NAND上調2-3%,但仍認為2028年價格會從2027年的高位回落約10%,屬於「軟着陸」

在更長期維度上,美銀將2030年全球內存TAM(市場規模)預測從1.8萬億美元上調至2.0萬億美元,並預測2027-2030年DRAM+NAND銷售額年複合增速達21%。

三季度漲價超預期,雲廠商提前鎖定明年價格

渠道調研結果顯示,三季度內存價格強勁。

美銀報告指出:「對內存芯片製造商、現貨市場分銷商、OEM等的最新調研,證實三季度均價強勁:儘管長期協議佔比上升,大多數DRAM產品三季度均價仍按月上漲20-30%,NAND漲幅超過15%。

四季度同樣不弱。分析師稱,「四季度均價預計至少還有個位數增長」。

更值得關注的是一個新動向:分析師寫道,「超大規模雲廠商已簽訂新合同,同意在2027年一季度支付高於2026年四季度的DRAM價格。」這意味着買方已主動接受漲價,並將這一預期鎖定進了合同。

上調2027-2028年價格預期,但2028年將迎軟着陸

正是基於上述供需格局,美銀對此前預測進行了修正。

分析師稱:「鑑於持續的內存供應短缺,以及部分OEM和大型科技公司更積極的芯片採購行為,我們對2027年上半年的判斷變得更加樂觀。」

具體數字:

  • DRAM:2027-2028年均價假設上調8-12%;新預測中,2027年均價約為每8Gb當量17.1美元,2028年約16.2美元

  • NAND:2027-2028年均價假設上調2-3%;2027年約10.0美元/256Gb當量,2028年約8.7美元

與此同時,美銀對2026年下半年的預測維持不變——「由於此前對下半年均價已持樂觀態度,本次不作調整」。

但分析師同時指出,「預計2028年均價將(較2027年)下跌約10%(DRAM下跌5%,NAND下跌13%)」,並將此解讀為「2029-2030年新一輪增長前的軟着陸階段,屆時將由更先進的AI及採用高端內存的GPU/ASIC驅動」。

供應短缺是核心邏輯

為什麼價格能持續上漲?供給側的約束是關鍵。

數據顯示,2026年DRAM供需充足率(supply-to-demand sufficiency)僅約79%,遠低於100%的平衡線,直到2027年才逐步回升至接近均衡。NAND情況類似,2026年充足率約80%,2027年才恢復至102%左右。

PC和智能手機的減產也在情理之中。報告指出,儘管內存短缺,「PC和智能手機年初至今的減產幅度並不嚴重,出貨量按年僅下降約10%」。這意味着終端需求尚未出現大幅崩塌,供需缺口主要源於AI服務器對內存的強勁拉動。

服務器端,尤其是AI服務器對HBM(高帶寬內存)的需求,已佔到DRAM總出貨量的50%以上。分析師預計,2026年HBM市場規模達774億美元,按年增長124%,2027年進一步擴張至1528億美元。

2030年市場規模目標上調至2萬億美元,長期超級周期

美銀將2030年全球內存市場(DRAM+NAND)總規模(TAM)預測從1.8萬億美元上調至2.0萬億美元。

分析師指出,全球DRAM+NAND銷售額此前在2018年(雲熱潮)達到峯值0.17萬億美元,而2025年的回升僅產生0.21萬億美元(NAND下行)。因此,投資者可能會質疑2.0萬億美元的預測,因為相比2018/25年增長了10倍。

分析師給出五個理由支撐這一預測:

(1)截至2026年三季度,年化運行率已超過1.0萬億美元(2,780億美元;四季度等效:1.1萬億美元);

(2)2026年ASP或合約價按年上漲3-4倍,而銷量增長20%以上;

(3)創紀錄的ASP可持續,由於全球供應緊張和強勁的AI芯片需求,到2030年降價有限;

(4)2026-30年年度bit增長應保持在高兩位數;

(5)隨着先進AI解決方案(HBM、SOCAMM、eSSD等)獲得份額,結構應改善。

分析師還表示,不預期新GPU/ASIC出現「降規」或更低內存含量;相反,假設進一步增加,Rubin Ultra每顆達1,000GB,新Rubin為384GB,而當前為288GB。

分析師還預測,從2027年至2030年,DRAM+NAND合計銷售額將以21%的年複合增速增長。

屆時DRAM+NAND銷售額達1.4萬億美元,而2026年為0.9萬億美元,至2030年——明確表明長期超級周期。這也意味着內存行業的合理市值為10萬億美元,基於13倍P/E、2.0萬億美元銷售額下50%的OPM和25%的稅率。

此外,美銀自建的「內存景氣指數」(BofA Memory Indicator)綜合追蹤均價、收入、現貨價格及出口的按年增長動能。

分析師稱,該指數「7月維持在創紀錄的180,而周期中位水平為100,2017-18年的峯值僅為120」。美銀預計8月至9月的數據仍將保持強勁,韓國半導體出口及中國台灣南亞科技、群聯電子的月度銷售額按年增幅均超過100%。

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