快科技9月21日消息，在合肥舉行的2026世界製造業大會上，長鑫科技正式宣佈第五代DRAM技術平台（G5平台）實現量產，同步展出了基於該平台打造的大容量LPDDR5X產品，並首次公開展示了已量產的LPDDR6內存。

G5平台的核心突破在於製程微縮。該平台依託四重曝光（Quadruple Patterning）技術，將內存陣列有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的內存量產平台製程。

作為參照，三星當前最先進的DRAM節點為12納米級，長鑫G5的11.95納米已媲美三星量產水平。 關鍵在於，這一突破是在不依賴EUV光刻機的條件下，使用ArF浸沒式DUV實現的。

除線寬微縮外，G5平台還通過變革工藝流程、採用新材料，將存儲電容深寬比提升至45:1，並開發了適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵極（HKMG）工藝，將核心功能區高度縮小至6762納米。

存儲密度因此實現跨越式提升。每片晶圓產出裸片數量較上一代平台提升至少50%，在產品能效和成本控制上均具備顯著優勢。長鑫科技副總裁駱曉東表示，G5平台工藝水平已可比肩行業頂尖量產節點。

同步展出的兩款LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496Ball和245Ball封裝，適配中高端智能手機與便攜消費電子，目前已進入規模量產階段。

大會上另一焦點是已量產的LPDDR6。長鑫LPDDR6於8月29日官宣量產，最高傳輸速率達12800Mbps，帶寬較LPDDR5X提升60%，功耗降低20%，芯片最高容量16GB。

LPDDR6的首發搭載機型為小米18 Fold摺疊旗艦手機，這是全球範圍內LPDDR6產品首次在旗艦手機端落地商用，也標誌着中國存儲企業首次在高端內存標準上實現全球首發量產。

此外，搭載長鑫最高速率10667Mbps LPDDR5X的「豆包手機」努比亞NaviX Ultra也已開售，這是國產10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次量產應用。

需要指出的是，長鑫在公告中坦言，G5平台作為全新平台，良率爬坡仍需一定周期，基於該平台的產品尚未形成規模銷售，短期內不會對經營業績產生重大影響。

但G5量產的戰略意義已足夠清晰：國產DRAM在最先進的量產工藝上，正從「追趕者」向「競爭者」轉變。