ChainCatcher 消息，據 TechPowerUp 報道，中國 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）預計到 2026 年底 DRAM 晶圓月產能約達 35 萬片，美光同期預估約 37.5 萬片。長鑫存儲潔淨室建設周期約 12 個月，短於行業通常的 21 至 24 個月。

受美國製裁無法獲得 EUV，長鑫存儲使用較舊的 DUV 光刻及多重圖案化技術。該公司已開始出貨 16 Gb DDR5 芯片，速度 8000 MT/s，芯片面積 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 單元較 G3 小 20%。24 Gb 模組以約 6000 MT/s 量產，LPDDR5X-10667 模組（12 Gb 和 16 Gb）亦已量產。中國政府正鼓勵長鑫存儲向 JHICC、Swaysure 及長江存儲子公司 XMC 等國內廠商轉移 DRAM IP。