ChainCatcher 消息，全球存儲器持續嚴重缺貨，AI 及雲端應用推升 DRAM 與 NAND Flash 需求與價格。中國兩大存儲器廠長江存儲與長鑫存儲將打破各佔半壁江山的格局。

長江存儲跨入 LPDDR5 DRAM 將於 2026 年底試產，長鑫存儲要從 DRAM 搶進 NAND Flash。業界推測兩家最快 2028 年正面交鋒。長江存儲以 Xtacking 技術完成 294 層 3D NAND 開發，三星 2025 年與其達成專利許可協議，從第 10 代 V-NAND 起採用相關專利。

長江存儲三期計劃 2026 年底投產，初期約 2.5 萬片 DRAM 產能，2027 年完成爬坡，瞄準 LPDDR5，並規劃後續擴產及 HBM、3D DRAM。長鑫傳出將在北京設定 NAND 研發生產線，估計最快 2028 至 2029 年量產。