新浪科技訊 9月21日上午消息，長鑫存儲宣佈第五代DRAM技術平台（簡稱「G5平台」）實現量產，同時展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。據悉，該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫存儲高端存儲技術路線上的里程碑式突破。

　　G5平台依託創新的四重曝光技術把內存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球頂尖內存量產平台製程。通過變革工藝流程、採用新材料，存儲電容深寬比達45：1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，將G5平台核心功能區高度縮小到6762納米。

G5微縮工藝的突破推動存儲密度實現跨越式提升：每片晶圓產出裸片數量較第四代平台提升至少50%，在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。