三星電子正準備擴大其先進代工產能，因為下一代內存芯片需求激增，正將其4納米產線推向滿負荷運轉。

此舉可能加劇與SK海力士(SKHY.US)和美光(MU.US)的競爭——三大內存巨頭正在蓬勃發展的 AI 芯片市場爭奪份額。

三星擴大內存產能

韓國媒體稱，三星正在考慮擴大其4納米晶圓代工產能，以支持HBM4基礎裸片（base die）的生產。基礎裸片是位於DRAM堆棧下方、將內存連接至AI加速器的邏輯層。

與 SK 海力士採用台積電12納米工藝製造 HBM4 基礎裸片不同，三星正使用其4納米工藝在內部自行生產該組件。

三星已將其目前4納米產能的一半以上分配給 HBM4 基礎裸片生產。需求還來自其他客戶，包括英偉達的 Groq 3 LPU，這促使三星上調了新4納米訂單的價格。

HBM 競賽競爭加劇

此次擴產正值三星加速 HBM4 產能爬坡之際。公司預計 HBM4 收入將在第三季度按月增長三倍以上，且 HBM4 在下半年將佔其 HBM 總收入的60%以上。

三星的增長已在重塑競爭格局。Counterpoint 數據顯示，三星 HBM 收入份額從第一季度的21%升至第二季度的33%，而 SK 海力士佔50%，美光佔18%。

該公司還在考慮為 HBM5 新建一條2納米產線，預計 HBM5 的基礎裸片將採用2納米工藝。這可能進一步強化三星垂直整合的路線，將內存、邏輯製造和先進封裝融為一體。

SK 海力士、美光承壓

對 SK 海力士和美光而言，就在 AI 基礎設施支出驅動高帶寬內存需求達到前所未有水平之際，三星更快的 HBM4 爬坡構成了又一項競爭挑戰。

在今年6月，三星是首家完成 HBM4 驗證並開始出貨的供應商，而 SK 海力士面臨認證延遲，美光則仍更專注於 HBM3E。

花旗預計明年全球 HBM 比特需求將增長62%，可能使行業處於供不應求狀態。這意味着三星的產能擴張可能讓其在快速增長的市場中佔據更大的份額。