快科技9月28日消息，韓國半導體業界對中國在高帶寬存儲器（HBM）領域的追趕速度愈發警惕。多位韓國專家判斷，中韓HBM技術差距被估算在2年至6年之間。

中國企業雖尚未進入先進HBM穩定量產供貨階段，但依託在通用DRAM上積累的生產經驗，追趕節奏明顯加快，韓國方面已難言高枕無憂。

高麗大學電氣電子工學部教授申昌煥認為，差距已縮小至2年左右，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，中國也已着手開發用於存儲器堆疊的封裝技術。

嘉泉大學半導體學院特聘教授金容錫與漢陽大學全球文化通商學部教授白瑞仁給出的判斷均為3年。白瑞仁表示，若中國以不計成本的姿態進攻，差距還可能再縮短1年。

TechInsights高級副總裁崔正東的結論更為細緻：僅從產品世代看，中韓相差1至2代；但把量產良率、堆疊與熱管理、客戶聯合設計以及人工智能加速器認證一併計入，實際生態差距為4至5年。他預計中國在2030年前後達到韓國當前水平，而在最先進HBM上追平韓國，最早也要等到2032年至2034年之後。

成均館大學化學工程系教授權錫俊將長鑫存儲（CXMT）推進產品的開發與量產階段同韓國企業當年走過的節點作對比，認為兩者之間存在約6年的時差。

更值得留意的是作為HBM追趕基礎的通用存儲器。專家估算的中韓DRAM差距為2至4年。崔正東稱，單看單元微縮約差2年，算上良率、成本、長期可靠性與客戶認證約為3年。

金容錫提醒，應先對DDR4、DDR5等通用DRAM市場保持警覺——中國一旦通過擴產拿到通用產品的份額與利潤，就能把這些收益再投入先進產品研發。