瑞銀最新研報針對美光科技(MU.US)2026財年第四財季(8月)及2027財年做出前瞻分析，核心邏輯指向存儲行業供需缺口持續擴大，市場關注點逐步從短期交易動量轉向周期持續性與資本回報。瑞銀維持美光1625美元目標價、重申買入評級。估值邏輯調整遠期NTM市盈率假設由11倍下調至8倍，錨定2029財年每股收益，LTA協議構築穿越周期盈利韌性。

業績預測情況

研報將美光2026財年第四財季營收預測上調至524億美元(原預測515億美元)，每股收益上調至32.50美元(原預測31.94美元)，分別較市場預期高3.9%和4.3%，兩項指標均高於公司指引，盈利上行主要來自產品定價改善；拆分業務來看，DRAM板塊預計營收397億美元，HBM營收約35億美元；NAND業務營收127億美元。本財季毛利率預估87.6%，較公司86%的指引高出160個點子。

對於下一財季(11月，2027財年第一財季)，瑞銀預判美光營收指引區間580‑590億美元，毛利率按月繼續提升100個點子至88.86%。放眼遠期，機構上調2027、2028、2029財年每股收益預測，分別至184.19美元、274.97美元、219.15美元(原預測184.89/265.65/165.37)，顯著高於市場一致預期；毛利率有望在2027財年第四季度‑2028財年一季度觸及91%峯值，對應2026/2027/2028財年毛利率分別為85.6%/90.2%/89.5%。

HBM、行業供給格局

HBM方面，2027財年HBM比特出貨量預估117.2億Gb較此前微幅上調。英偉達新一代VR300GPU內存規格下調，首代產品僅配備384GBHBM4，2027年三季度升級至512GBHBM4E，低於此前768GB市場預期，但HBM有限供給可分配至更多GW級服務器機架形成對沖。同時，供應商持續抬升HBM、DDR溢價，預計2027財年綜合HBM均價按年漲約76%，HBM4約30美元/GB、HBM4E約33美元/GB。

供給端，長江存儲DRAM比特份額預計自2025年7%提升至2027年9%，但受其安裝、良率以及工藝差距約束，市場對產能擴張擔憂有所過度；行業DRAM至少到2028年二季度前維持供不應求。長江存儲新增產能更多轉向DRAM，一定程度拉長NAND漲價周期。LTA長期協議抑制現貨短期漲價幅度，但對企業盈利形成底部支撐。

資本開支、股票回購展望

2027財年資本開支預估510億美元，資本密集度維持低位雙位數。受美國《芯片法案》約束，美光回購禁令將於2026年12月9日解除，研報判斷公司不會提前釋放回購信號；預計2027財年二季度啓動回購，初始規模約200億美元/季度，至2027財年末有望升至近500億美元/季度。

估值、評級與風險提示

瑞銀維持美光1625美元目標價、重申買入評級。估值邏輯調整遠期NTM市盈率假設由11倍下調至8倍，錨定2029財年每股收益，LTA協議構築穿越周期盈利韌性。

風險層面：存儲具備強周期屬性，宏觀惡化帶來需求下行、產品ASP跌幅超預期，股價存在下行風險；技術迭代延或影響供給釋放節奏；AI滲透率加速、供給不及預期則可能構成上行催化。