快科技10月12日消息，據報道，國產DRAM廠商長鑫科技下一代內存技術平台G6的技術指標預測近日流出。

該方案顯示，長鑫將繼續採用DUV光刻工藝生產G6代內存，預計最快於2028年推出，芯片單元面積將從G5代的0.00128205平方微米進一步縮減至0.000896平方微米，縮減幅度達30%。

在缺乏EUV光刻機的條件下，長鑫正通過深度優化DUV工藝組合，逼近該技術的物理極限。

據X平台技術人士Frederick Chen發布的預測數據，G6的單元面積微縮將通過繼續優化193納米DUV浸沒式光刻機，結合自對準四重圖案化（SAQP）技術來實現，部分層級則採用自對準雙重圖案化（SADP）工藝。

從工藝節點指標來看，G6的WL（字線）間距將從G5的33.3納米進一步收緊至28納米，BL（位線）間距從38.5納米降至32納米，AA（有源區）間距從23.9納米降至20納米。

光刻膠方案同步升級，AA切割層將從193i LE4升級為193i LE4或X-SADP，位線接觸層也引入X-SADP選項。

鍵合工藝的首次引入是G6方案中最關鍵的技術變量。 預測表格中，G6的M0層標註為「193i LELE bonded」，意味着長鑫計劃通過晶圓級混合鍵合方式，將DRAM存儲陣列與外圍邏輯電路解耦製造後再堆疊互聯。

這一思路與長鑫在4F²架構上的技術佈局高度吻合。長鑫科技總裁曹堪宇在第四屆集成芯片和芯粒大會上曾明確表示，4F²架構的核心突破之一就是將DRAM與CMOS工藝解耦，再通過晶圓級混合鍵合實現高速互聯，這是DRAM從二維縮放邁向三維集成的關鍵轉折點，長鑫預計今年年底將推出融合該技術的新一代DDR5 RDIMM產品。

G6可能是6F²內存芯片結構的最後一代產品。 預測指出，長鑫已提前佈局3D內存技術，其3D DRAM堆疊層數可達64層以上，預計2030年後推出的G7代產品可能轉向4F²結構或3D內存架構。