長鑫科技官宣4F2DRAM架構研發取得關鍵進展，美光、三星業績同步爆表，機構預計存儲芯片行業的高景氣度有望延續。 　　長鑫4F2架構年底落地 　　10月10日，第四屆集成芯片和芯粒大會在上海舉行，長鑫科技總裁曹堪宇在演講中全面介紹了公司在DRAM器件、4F2架構及混合鍵合等方向的技術探索，並官宣4F2DRAM架構研發取得關鍵進展，預計年底將推出融合上述先進技術的新一代DDR5RDIMM產品。 　　據曹堪宇介紹，長鑫4F2架構最核心的特色是在DRAM存儲陣列晶體管上的底層創新，即自研的VSG(垂直包圍溝道結構)晶體管，可實現更強的柵控能力，解決漏電與短溝道效應痛點，豎立的晶體管形態也助力芯片面積微縮。 　　值得一提的是，長鑫科技技術突破動作不斷。8月，公司宣佈最新一代低功耗內存LPDDR6實現量產，並實現全球LPDDR6產品首次落地商用；9月20日，第五代DRAM技術平台(G5)宣佈量產，通過四重曝光技術將內存陣列有源區半間距微縮至11.95納米。 　　此外，海外存儲大廠業績同頻共振。美光近日公布2026財年第四財季業績，營收達542.29億美元，按年大增379%，連續第六個季度創下營收紀錄。公司CEO表示，2027年和2028年的內存及存儲供需狀況將明顯緊於2026年。 　　三星電子發布的2026年第三季度初步業績顯示，公司單季營業利潤約107.4萬億韓元，按年大增782.5%，史上首次突破100萬億韓元大關。 　　存儲超級周期有望延續 　　存儲芯片是以半導體介質保存數據的集成電路，主要包括DRAM、NANDFlash及NORFlash等類別，其中DRAM是當前計算系統中最重要的系統內存。 　　據Omdia預計，全球DRAM市場規模將由2025年的1505億美元增長至2030年的5710億美元，2025年至2030年複合增速約30.56%；同期服務器DRAM需求佔比預計由約50%提升至71%，成為行業需求增長的核心來源。 　　國盛證券最新研報指出，原廠將先進製程和資本開支重點投向服務器、高容量及高附加值產品，但新建潔淨室、技術升級和產能爬坡均需要較長時間，短期供給增量難以完全匹配AI服務器需求增長。HBM產品升級、數據中心SSD放量及長期客戶協議有望進一步強化存儲行業景氣度，看好相關產業鏈機會。 　　國聯民生證券也表示，持續看好本輪存儲超級周期。該機構認為，AI需求高景氣、供給約束強化、長協鎖定盈利、股東回報提升共同推動盈利中樞上移。DRAM和NAND價格在高基數下仍有望延續上漲，價格上漲持續性明顯強於傳統周期。當前仍處於超級周期盈利預期上修階段，持續看好存儲產業鏈。 　　機構緊盯多隻超跌概念股 　　東方財富概念板塊顯示，目前A股市場有143股涉及存儲芯片概念，合計總市值超10萬億元。長鑫科技、中芯國際、北方華創體量位居前三，華虹宏力、中微公司、瀾起科技等多股市值均超2000億元。 　　從資金角度看，東方財富Choice數據顯示，近一個月，共有35只存儲芯片概念股獲孖展客逆勢押注，其中，華天科技獲槓桿資金加倉1.97億元，康強電子、先導基電分別獲搶籌1.58億、1.41億元，富滿微、中京電子、長川科技等5股亦獲超1億元孖展淨買入。 　　市場表現方面，年初至今，存儲芯片概念衝高回落，尤其三季度以來，板塊回撤明顯，多達77只概念股最新價較區間最高價跌幅超40%，臻寶科技、德明利、佰維存儲、江波龍等7股回撤幅度均在60%以上。 　　值得注意的是，上述超跌存儲芯片概念股中，有9股同期獲得3次及以上機構調研。 　　其中，華潤微三季度以來被調研總次數達13次，立昂微獲10次機構調研，鼎龍股份、東芯股份分別獲8次、6次調研，瀾起科技、安集科技被調研次數均為4次。　　　　兆易創新是國內領先的Fabless存儲器供應商，持有長鑫科技股份，雙方形成「設計+製造」深度綁定，公司近日已將2026年度與長鑫集團的日常關聯交易預計額度由57.11億元上調至78.54億元。 　　瀾起科技是內存互連芯片龍頭，公司於9月底宣佈，其DDR5第五子代寄存時鐘驅動器芯片(RCD05)已實現量產，該產品面向高性能DDR5RDIMM內存模組。