Tradingkey - 美東時間10月12日，記憶體股普遍暴跌，市場擔憂中國DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）推出的新一代DRAM架構，並計劃年底推出相關服務器內存產品，引發市場對未來服務器記憶體競爭加劇的擔憂。

根據市場研究機構Counterpoint數據，以全球DRAM廠商營收計算，長鑫科技2026年第二季市佔率為7%，排名全球第四。若技術順利商業化，長鑫有望降低單位存儲成本，進而對現有廠商的市場份額與利潤率構成壓力。

截至發稿，Roundhill Memory ETF（DRAM）大跌4.61%，閃迪（SNDK）跌7.12%，SK海力士（SKHY）跌4.20%，美光科技（MU）跌4.70%，希捷科技（STX）跌3.18%，西部數據（WDC）跌2.44%。

DRAM ETF股價，來源：TradingView

長鑫存儲總裁曹堪宇10月10日表示，公司預計年底推出採用4F²架構的新一代DDR5 RDIMM產品。這項進展的商業意義，首先體現在存儲單元面積上。目前DRAM主流採用6F²架構，F代表製程中的最小特徵尺寸。在相同F值下，從6F²轉向4F²，理論上可將單個存儲單元的面積縮小約三分之一。晨星分析師Jing Jie Yu也指出，長鑫此次公布的新結構，存儲單元面積縮小約30%。

對DRAM製造商而言，存儲單元面積縮小，有望提高每片晶圓的存儲產出。如果量產良率能夠穩定，且新增工藝成本沒有抵消密度提升的收益，每個位元的成本就有望下降。長鑫因此可能獲得更大的定價空間，或在相同售價下改善利潤率。

長鑫此次介紹的一項關鍵創新，是垂直環繞閘極（VSG）晶體管結構。通過讓閘極更有效地控制電流，該結構旨在降低漏電與短通道效應；垂直佈局則有助於減少晶體管佔用的平面面積。這為DRAM在傳統微縮越來越困難的情況下繼續提高密度，提供了新的技術路徑。

需要注意的是，技術突破與成功量產商業化之間亦有距離。晨星分析師認為，長鑫要將這一結構商業化，可能「極其困難」，主要挑戰包括大規模生產時的一致性問題。實驗或樣品階段能夠實現的性能，必須在持續生產中穩定複製，才能轉化為合格產品和實際利潤。

因此，年底推出產品是一個值得關注的節點，但尚不能據此推斷長鑫屆時就能形成大規模、低成本供貨。據悉，RDIMM是服務器常用的內存模組形式，其應用要求不僅包括速度，還涉及長期連續運行的穩定性、可靠性，以及與服務器平台的兼容性。國際存儲巨頭在這一領域積累了較強的客戶與工程優勢，長鑫要擴大份額，需要同時跨過製造和客戶認證兩道門檻。

對現有DRAM廠商來說，潛在壓力來自成本與供給兩個方面。如果長鑫實現穩定量產並擴大供貨，更低的單位成本可能幫助其爭取訂單，但新增有效供給也可能對DRAM價格形成壓力。

另一方面，評估長鑫此次公告對記憶體股的實際影響，需要結合各家廠商的產品結構。服務器DDR5面臨的潛在競爭，不能直接等同於HBM業務面臨同樣程度的衝擊。後續真正決定競爭壓力的，將是長鑫的量產良率、客戶認證與實際供貨規模。

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