快科技10月9日消息，ASML與光學合作伙伴蔡司近日在《微納米圖案化、材料與計量期刊》發表同行評審論文，正式公布目前最強光刻機High NA EUV接班人——Hyper NA EUV光刻機。論文稱，這款接替High NA的設備預計約10年後準備就緒，可實現5nm單次曝光。

Hyper NA的核心是將數值孔徑從High NA的0.55提升至至少0.75。數值孔徑越大，光刻機收集光的能力越強，能分辨的電路特徵就越小。論文指出，Hyper NA可印製小至5nm的電路特徵，比現有High NA EUV設備縮小逾三分之一。

在技術複用方面，Hyper NA可最大化沿用現有基礎設施。現有EUV光源可直接複用，蔡司已能製造精度足夠的反射鏡，新設備尺寸也僅比現有High NA機台略大。這意味着芯片製造商無需重建整套光刻生態。

不過，Hyper NA仍面臨挑戰。ASML已開始研發，但尚未承諾投入生產。論文也指出，現有光源可沿用，但若改用自由電子激光器，照明系統設計也不會改變。

在產業節奏上，英特爾目前已開始將High NA用於量產，三星和SK海力士計劃2028年跟進，台積電則規劃2030年採用。這意味着High NA在未來數年仍是先進製程的主力，Hyper NA則瞄準2035年之後的產業需求。

值得注意的是，該論文還對xLight等美國初創企業具有參考意義。xLight正在研發自由電子激光光源，特斯拉CEO馬斯克曾暗示可能在得州Terafab芯片廠採用該技術。

此外，Substrate也在探索X光光刻路線，試圖繞開ASML的EUV技術壁壘。