金吾財訊 | 美股存儲芯片股盤中跌幅擴大，截至發稿，閃迪（SNDK）跌6.53%，慧榮科技（SIMO）跌6.26%，Rambus（RMBS）跌4.61%，美光科技（MU）跌4.04%，SK海力士（SKHY）跌4.01%，希捷科技（STX）跌2.94%，西部數據（WDC）跌2.05%。消息面上，據證券日報日前報道，長鑫科技在第四屆集成芯片和芯粒大會上介紹了其在DRAM（動態隨機存取存儲器）器件、4F²架構及混合鍵合等方向的技術探索與積累，並宣佈預計年底將推出融合先進技術的新一代DDR（雙倍速率同步動態隨機存儲器）5 RDIMM（寄存式雙列直插內存模組）產品。其中，該公司提到，4F²架構的首代產品定為DDR5 RDIMM，將直面服務器內存領域極高的技術與工程壁壘。業內分析指出，4F²新型存儲架構也是三星電子、SK海力士及美光科技等國際巨頭重點佈局的前沿領域，長鑫科技的技術突破錶明，中國本土存儲廠商正通過自主技術路線演進，逐步縮小與國際主流廠商的差距，且隨着長鑫科技在高端服務器DRAM及先進架構上的佈局落地，或將加劇全球存儲行業競爭。

其他消息面上，周一韓國存儲雙雄SK海力士、三星電子於韓股市場全天承壓，負面情緒進一步傳導至美股市場。市場分析認為，外資大拋售可能是殺跌的重要原因。韓國交易所數據顯示，截至10月7日，外資持有三星電子股份的比例降至46.37%，為2009年7月16日以來最低，約17年新低。外資持有SK海力士的比例為49.59%，自上月底跌破50%後，已連續8個交易日徘徊在49%區間。此外，摩根士丹利最新發布的《存儲芯片：傳統周期與超級周期之辨》研究報告顯示，全球範圍內史無前例的AI熱潮正在創造需求更強、持續時間更長的存儲芯片超級周期，但供給擴張、價格變化及盈利波動的無可避免傳統繁榮—衰退周期規律依然存在。