IT之家 10 月 10 日消息，長鑫存儲 4F² DRAM 架構研發近期取得關鍵進展。該公司總裁曹堪宇博士在第四屆集成芯片和芯粒大會上發表演講，全面介紹了長鑫存儲在 DRAM 器件、4F² 架構及混合鍵合等方向的技術探索與積累，並官宣預計年底將推出融合了上述先進技術的新一代 DDR5 RDIMM 產品。

據曹堪宇博士介紹，長鑫自成立以來就啓動了 4F² 的研究和專利佈局，公開專利族超 300 件，數量領先海內外廠商。長鑫在 2021 年發布了大陸首篇 4F² 架構相關的論文，並在 2023 年、2025 年的兩篇論文中分享了在該架構上的研發進展。

IT之家查詢獲悉，當前行業主流 DRAM 單元為 6F² 架構。在 DRAM 芯片設計中，一個存儲單元通常由一個晶體管（1T）和一個電容器（1C）組成。4F² 意味着每個單元僅佔 4 倍最小特徵尺寸的平方，實現了存儲密度的提升。而從 6F² 到 4F² 的跨越是根本性變革，原有 6F² 工藝無法直接複用，需要全新器件與工藝體系。

據悉，研發過程中，長鑫存儲對多項核心工藝流程展開了深度技術探索與突破，全面優化涵蓋字線金屬化、位線成型以及結激活等關鍵工藝，以實現最優的性能與功耗比。

此次演講未提及長鑫即將推出的 DDR5 RDIMM 的規格信息和發布時間。然而，DDR5 RDIMM 作為服務器市場的主流配置。這意味着，長鑫將 4F² 架構的首代產品定為 DDR5 RDIMM，將直面服務器內存領域極高的技術與工程壁壘。