TradingKey - 記憶體板塊近日受到中國長鑫存儲推進新一代DRAM架構消息影響而下跌。但問題在於，長鑫此次推進的是服務器DDR5等DRAM產品，而閃迪（SNDK）的主營業務是NAND閃存、企業級SSD和數據中心存儲解決方案，兩者並不存在直接的產品替代關係。

市場對「存儲芯片競爭加劇」的擔憂，可能正在把DRAM風險過度傳導至閃迪的NAND業務。目前，閃迪股價在1450美元附近震盪，觸及8月底以來新低。

閃迪股價為什麼會下跌？

長鑫4F²架構首先影響的是DRAM市場，直接競爭對象更接近三星電子、SK海力士和美光，而不是閃迪。DRAM主要用於系統內存和高帶寬內存，NAND則更多用於SSD、手機存儲、PC存儲和數據中心容量型存儲。

但在資本市場中，DRAM、HBM、NAND和SSD經常被歸入同一個「存儲板塊」。當投資者擔心中國企業擴大內存產能時，往往會先拋售整個存儲產業鏈，而不是逐一判斷每家公司的產品結構。更重要的是，真正與閃迪NAND業務直接競爭的中國廠商，應當是長江存儲等NAND生產商，而不是主營DRAM的長鑫。

因此，閃迪這次下跌更像是市場把「長鑫DRAM風險」錯誤地映射到了「NAND和AI存儲」。

閃迪的真正看點已轉向高帶寬閃存（HBF）

閃迪在投資者日活動上預測，隨着人工智能推理工作負載與鍵值緩存（KV Cache）需求的爆發，到2030年，企業級數據中心閃存（NAND Flash）的總可用市場規模（TAM）預計將達到1.2澤字節（ZB）。

與此同時，閃迪還披露，公司已經與8家客戶簽署新的長期協議，這些協議預計覆蓋2027財年約50%的閃存位元需求，以及2028財年約三分之二的位元需求。長期協議的意義在於，它可以降低閃存價格波動對收入和現金流的影響，也讓閃迪的業績不再完全依賴現貨市場價格。

這也是閃迪與傳統存儲周期股的區別所在。市場過去主要根據NAND價格、庫存和產能利用率給閃迪估值；但如果HBF能夠進入AI推理服務器，閃迪的業務邏輯就可能從「賣更多閃存」，轉向「為AI系統提供新的內存層級」。

高盛12日發布研報指出，隨着AI推理需求快速增長，存儲容量不足正成為限制算力效率的重要瓶頸。與訓練階段相比，AI推理需要長期保存模型權重、上下文信息和KV緩存，系統面對的未必只是帶寬不足，也可能是可用容量不足。

在這一背景下，高帶寬閃存（HBF）被視為解決「內存牆」的潛在方案。HBF試圖把NAND閃存的大容量、低成本優勢，與更高的數據訪問速度結合起來，從而減少AI推理對昂貴HBM和DRAM容量的依賴。高盛預計，如果HBF在15%至50%的AI芯片中獲得採用，其潛在市場規模可能達到400億至1500億美元。高盛因此看好閃迪和SK海力士在HBF領域的技術領先優勢，維持兩家公司「買入」評級。

真正決定閃迪下一輪行情的，不是長鑫能否在DRAM領域擴大產能，而是閃迪能否把HBF從技術概念變成AI推理服務器中的實際產品。

如果HBF開始獲得大型雲廠商採用，同時長期協議繼續提高收入可見度，閃迪股價可能迎來估值修復；但如果HBF商業化進度慢於預期，市場仍可能重新把它當作一隻高波動的NAND周期股。

閃迪技術分析

從閃迪股價圖來看，現價跌至0.5斐波那契回撤（1453.84）下方，暫守在當日低點1403美元上方。當前屬於跳空下跌後的弱反抽，此前的回撤仍在延續，尚未形成止跌反轉。

閃迪日線圖，來源：TradingView

股價9月衝高後，反彈高點逐步下移，近期連續跌穿均線與此前1500美元附近的整理區域，說明7月底以來的修復結構明顯轉弱。

均線方面，5日、10日和20日均線分別為1541.79、1629.77和1640.15美元，形成短期空頭排列；80日與160日均線分別為1604.98和1566.54美元，仍保留較長周期的多頭次序。因此，當前是短線轉弱、較長周期結構受到破壞，尚不能稱全部均線完整空頭排列。價格低於全部均線，反抽仍面臨上方壓制。

下方支撐方面，1400至1406美元區間是當日最低價與開盤價集中區間，疊加1400美元整數關口，是跳空後買盤首次出現的位置；目前僅有當日承接證據，支撐強度仍待後續K線驗證。若股價跌破該區間，或在0.618斐波那契回撤位（1346.30美元）尋找支撐。

反彈空間方面，只有股價收復1453.84美元並在回踩時守住，纔有條件開啓新一輪反彈；跌破1401.01美元且無法收回，則反抽失敗、回撤繼續。

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