近期全球存儲芯片股價波動加劇，10月份以來表現顯著弱於其他板塊，除了宏觀因素的擾動外（原油價格波動上漲，通脹與利率預期重新抬頭），產業界對於長鑫科技4F²技術的進展亦變得更為關注。主要原因是市場擔心：中國本土晶圓廠在高毛利的服務器DDR5市場形成有效技術破局，海外巨頭通過壟斷產能維持超高議價權的敘事邏輯會被動搖。從產業進展來看，目前DRAM的技術仍以6F²單元結構為主，4F²技術的落地需看三星電子和長鑫科技的進展。目前來看，4F²技術仍處於早期驗證階段，後續仍需觀察公司在這領域的良率、產量、毛利率、下游客戶認證情況等各個指標，對於中短期存儲產業的影響相對較小。建議關注HDD、DRAM、NAND賽道中的公司投資機會。

▍存儲市場波動加大，市場關心4F² DRAM進展。

1）近期全球存儲芯片股價波動加劇，10月份以來股價表現顯著弱於其他板塊，除了宏觀因素的擾動外（原油價格波動上漲，通脹與利率預期重新抬頭），產業界對於長鑫4F²技術的進展亦變得更為關注。

2）10月10日第四屆集成芯片和芯粒大會上，長鑫科技宣佈4F² DRAM架構研發取得關鍵進展，預計2026年年底推出融合4F²架構+混合鍵合技術的新一DDR5 RDIMM產品，市場擔憂全球DRAM競爭格局生變。

▍4F² DRAM進展：更多是產業鏈公司在EUV資源、成本等方面的權衡決策。

1）目前DRAM仍以6F²單元結構為主，韓資和美資企業三星電子、SK海力士、美光的1a/1b（10nm級）節點沿用該架構，靠EUV光刻與高深寬比電容工藝持續微縮提升位密度。雖然這些企業在推進4F²與3D DRAM路線的研發，但6F²仍是當前量產主力。

2）4F²技術進展，產業界進展較快的企業是三星電子和長鑫科技。據韓媒The Elec報道，三星2026年3月以10a工藝流片做出全球首顆4F²+VCT可工作裸片，規劃2027年質量測試、2028年量產。長鑫科技在第四屆集成芯片和芯粒大會上宣佈 4F² DRAM架構研發取得關鍵進展，預計2026年年底推出融合4F²架構。

3）不同廠商在技術商業化落地選擇時，主要是考慮EUV的可獲取度、綜合成本的考量等。a）目前美系&韓系廠商仍能通過EUV、成熟6F²平台及產品結構優化持續獲得回報。我們預計現階段如果大規模切換4F²技術後，需要承擔掩模、流程、材料、設備與客戶重新驗證的機會成本。b）對於拿不到EUV的中資廠商，通過切換到4F²技術，利用後續刻蝕、沉積、材料與集成等工程化的優化，可以做出更好的產品。

▍勿用太悲觀或者太樂觀，客觀看待此輪存儲周期。

目前來看，長鑫科技公布4F²技術商業化計劃後，市場除了擔心存儲價格見頂之外，開始逐漸擔憂中國廠商技術突破後，對於後續美資企業、中資企業長期盈利的影響。但我們認為，短期各項指標均指向存儲仍處於供不應求的狀態，且價格仍在上行通道中。此外，針對長鑫科技4F²技術的進展，仍後續仍需觀察公司在此領域中的良率、產量、毛利率、下游客戶認證情況等各個指標。中短期勿用太過悲觀或者太過樂觀。

▍風險因素：

宏觀趨勢走弱導致的風險；下游模型能力演進不及預期風險；算力建設與供給不及預期風險；終端應用商業化不及預期風險；存儲芯片等硬件價格通脹超預期風險；行業競爭加劇風險；債券市場容量不足及股債負向傳導風險；政策與AI監管不確定性風險等。

▍投資策略：

近期美股存儲波動較大，我們認為並非是因為公司當期業績疲軟，主要是市場擔心：1）產品漲價增速見頂；2）長鑫科技公布4F²技術進展後，市場擔憂中國廠商技術突破後，對於後續美資企業、中資企業長期盈利的影響。聚焦企業基本面來看，我們認為存儲產品仍處於漲價上行周期。此外，伴隨着AI技術的發展以及數據中心企業加大采購，數據中心採用存儲的營收佔比穩步提升，顯示出AI的高景氣度。

展望未來，我們認為：儘管存儲產品的漲價幅度在放緩，但考慮到未來1-2年存儲市場料仍將處於供不應求的狀態，未來有望對公司毛利率以及盈利能力提升形成支撐。伴隨着存儲公司長協的落地，主要存儲廠商正以3–5年期的LTA合作模式搶佔產能，進而提前鎖定大客戶需求。同時LTA通過採用靈活的定價機制，部分公司設定價格下限，未來對於公司盈利能力形成強有力的支撐，後續有望降低公司盈利的波動性，進而提高公司的估值水平。建議關注HDD、DRAM、NAND等細分賽道的投資機會。

注：本文來自中信證券研究部2026年10月15日發布的《全球科技硬件系列報告1—如何看待DRAM 4F2技術的產業影響》，報告分析師：高飛翔、陳俊雲、許英博、胡葉倩雯