快科技10月19日消息，隨着人工智能市場對高帶寬內存（HBM）的需求不斷攀升，英偉達正在推動一項前所未有的供應鏈整合計劃。 根據最新消息，英偉達為下一代AI加速器開發的定製高帶寬內存NVHBM，將促使長期競爭的三星電子和台積電展開合作，共同打造基於3納米工藝的基底芯片（Base Die）。 報道稱，三星在HBM產品開發上歷來採用「交鑰匙」模式，即核心存儲芯片（Core Die）與基底芯片均由...
網頁鏈接快科技10月19日消息，隨着人工智能市場對高帶寬內存（HBM）的需求不斷攀升，英偉達正在推動一項前所未有的供應鏈整合計劃。 根據最新消息，英偉達為下一代AI加速器開發的定製高帶寬內存NVHBM，將促使長期競爭的三星電子和台積電展開合作，共同打造基於3納米工藝的基底芯片（Base Die）。 報道稱，三星在HBM產品開發上歷來採用「交鑰匙」模式，即核心存儲芯片（Core Die）與基底芯片均由...
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