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　　韓國《首爾經濟日報》援引未具名業內人士消息報道，三星電子計劃使用台積電3納米工藝，為英偉達下一代定製高帶寬內存生產基底裸片。

　　英偉達已要求三星、SK海力士和美光，在其定製NVHBM產品的基底裸片生產上統一採用台積電3納米工藝。

　　英偉達希望各供應商統一製造流程，保障產品性能一致。

　　此舉是三星首次在HBM製造環節與台積電開展合作。

　　NVHBM基於第七代HBM4E架構開發。