美光股價衝擊歷史高點失敗

TradingKey - 2026年二季度，HBM3e 產能售罄與 AI 服務器需求爆發，驅動美光 (MU) 股價持續飆升，並於6月底衝至1,255美元，創下歷史新高。7月，美光股價出現劇烈洗盤，股價一度深幅回調至737美元。 

美光股價圖表，來源：TradingView

8月，美光股價逐漸反彈走強，於10月初衝至1100美元附近，但是並不能企穩該位置，隨後持續回落，相繼跌破1000美元、900美元等重要關口，意味着衝擊歷史高點失敗。

美光股價為何下跌？

美光這次衝擊歷史新高失敗，主要受到宏觀通脹數據突襲、板塊連帶去槓桿、同業競爭情緒擾動的三重夾擊。 10月初，美光突破 1,000 美元之後，衍生品市場堆疊了龐大的看漲期權。在大盤與半導體龍頭連帶回調下，引發了高位多頭槓桿連鎖清算。

10月10日，中國存儲大廠長鑫存儲（CXMT）宣佈在 4F² DRAM 結構技術上的突破，引發了市場對未來中低端 DRAM 市場供需結構與競爭加劇的短期擔憂，促使部分機構資金從存儲板塊中回籠現金，美光股價進一步遭到打擊。

10月14日，美國公布的9 月 CPI 數據超出預期，原油與汽油漲幅大幅抬高標題通脹。聯儲局（Fed）貨幣政策預期轉向緊縮或延後降息，導致美債收益率跳升，率先打壓了高估值半導體板塊，美光作為高 Beta 芯片股首當其衝遭遇量化資金程序化拋售，股價再次跌破900美元。

美光股價還能重返歷史高點？

美光科技衝刺歷史高點失敗並且股價持續回落，並非公司基本面轉壞或 AI 存儲器周期結束，而是典型的宏觀 CPI 通脹數據突襲與科技板塊整體去槓桿引發的階段性洗盤。這也意味着，只要 10 月下旬至 11 月宏觀通脹情緒逐步消化、美債收益率回穩，極低的估值將吸引龐大的機構價值買盤重新進場，美光股價年底重返歷史高點的概率仍然較大。

美光作為英偉達次世代 AI 架構的核心存儲器供應商，其 2026 年與 2027 年的 HBM 產能早已被全球科技巨頭搶購一空。此外，HBM 的產品毛利率顯著高於傳統 DRAM，將持續推動美光未來數個季度的營收與每股收益（EPS）維持爆炸性增長。目前，美光的前瞻市盈率（P/E）已修復至約 12.3 倍的極低水平，相較於其高達 70%+ 的年度 EPS 爆發力意味着當前股價已被市場顯著低估，存在上漲的需求。

美光股價技術分析：守住740美元是關鍵

在經歷了 10 月初美國 CPI 超預期升溫、半導體板塊高位去槓桿以及跌破 900 美元關口後，美光的技術形態正處於高位寬幅震盪的極限回測階段。 回顧美光 2026 年的波段走勢可以看出，740 美元是衝擊歷史高點之後回撤的最低點，而且正好落於 61.8% 關鍵支撐區域，此位置通常是極限洗盤的終點。

美光股價圖表，來源：TradingView

一旦美光在日 K 線收盤價實質跌破前低740 美元，將宣告自 6 月以來的高位巨幅箱體整理結構失效，恐引發長線機構資金與程序化交易的次級避險拋售，下探 650–680 美元的下一個次級支撐。

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