ChainCatcher 消息，據 ZDNet Korea 10 月 20 日援引半導體業界報道，已被英偉達實質收購的 AI 芯片公司 Groq 正推進在下一代芯片中引入 DRAM 三維堆疊封裝，以替代速度快但容量較小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 設計者 Jonathan Ross 於 2016 年創立，報道稱該公司去年被英偉達以迂迴方式收購。

報道稱，Groq 正在評估的方案為 3DS，即通過硅通孔把 DRAM 芯片垂直連接的高容量封裝。三維封裝可將多顆裸片垂直堆疊並作為一顆芯片工作，相較平面方案縮小面積、提高電力效率。3DS 與 HBM 都使用硅通孔，但 HBM 側重傳輸速度，3DS 維持既有 DRAM 接口並聚焦容量擴張。匿名業界人士表示，Groq 計劃在下一代芯片採用三維封裝，堆疊的是 DRAM 而非 SRAM；另一名人士稱，市場需求轉向更大容量芯片，Groq 因此選擇在容量上更有優勢的 DRAM。