美國存儲芯片企業美光科技正式放棄導入被視為下一代DRAM微縮技術關鍵關卡的4F²（4F平方）單元結構。外界解讀，美光不再強行推進4F²路線，轉而延續現有6F²結構，並全力押注晶圓鍵合、3D堆疊技術路線，試圖扭轉與韓國競爭對手之間的技術差距，是一次豪賭式戰略抉擇。

　　美光於當地時間21日舉辦技術線上研討會，公布包含未來十年存儲研發方向的多代技術路線圖，對外釋放上述方針。本次發布會最具衝擊性的內容，就是美光對下一代DRAM單元結構做出的判斷。

　　目前三星電子、SK海力士正在研發基於垂直溝道晶體管（VCT）的4F²結構，目標突破10納米以下（0a、0b納米級）工藝的物理極限。該路線的思路是將原有6F²結構換成4F²，縮小芯片面積、提升集成度。

　　美光在發布會資料中寫明：「我們對4F²的研究已經超過20年，但不存在具備可量產性的微縮路徑。」出席發布會的美光總裁兼首席技術與產品負責人（CTPO）Scott DeBoer進一步表示：「4F²微縮存在根本性問題，相比6F²的密度優勢，很大程度上近乎一個神話。」

　　美光果斷跳過4F²，將晶圓鍵合與3DDRAM放在路線圖核心位置。繼當前主力的1伽馬（1γ）節點之後，計劃2027年下半年在美國愛達荷州博伊西工廠啓動下一代1德爾塔（1δ）DRAM量產。隨後，在研發推進中的6F²衍生後續節點1艾普西隆（1ε）上正式大規模採用晶圓鍵合技術。

　　尤其在更遠期的前沿節點，美光在1澤塔（1ζ）與1伊塔（1η）之間正式規劃了兩代3DDRAM（3D1、3D2）。配套策略是同步探索高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機與新材料，待到經濟性達標之時，立刻將3DDRAM導入量產產線。

　　在封裝以及高帶寬內存（HBM）領域，美光還全新公布最大化利用3D堆疊技術的Vertical HBM（垂直HBM）。傳統HBM是放置在中介層上、與處理器（XPU）並排擺放；而Vertical HBM是將內存直接堆疊在處理器上方，依靠細間距混合鍵合完成互連。

　　業內評價認為，本次發布是美光為改寫和三星電子、SK海力士之間的技術競爭格局打出的一記重手。這相當於對外宣告：不再選擇在被視作2D微縮最後跳板的4F²賽道正面硬剛，而是想用鍵合、3D堆疊技術重新改寫行業競爭規則。