10月29日,三星電子在2026年第三季度財報電話會議上表示,公司2027年的高帶寬內存(HBM)產能已按照既定目標價格全部售出,並預計2028年DRAM內存供應仍將保持緊張。
財報會議披露,三星第三季度DRAM和NAND閃存出貨量均實現個位數百分比增長,平均售價分別上漲20%和近10%。公司預計,第四季度DRAM出貨量將增長15%至20%,NAND出貨量增長約15%。
在HBM業務方面,三星表示,其HBM4產品第三季度銷售額按月增長超過3倍,佔HBM業務總營收的60%。此外,三星存儲業務已與10家客戶簽署長期供應協議(LTA),另有10家客戶正在就多年期合同進行洽談,公司計劃通過此類協議鎖定60%至70%的產出。
與此同時,三星晶圓代工業務計劃增加韓國和美國工廠的投資,並考慮擴大晶圓廠及先進封裝產能。
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責任編輯:山上